【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】半導(dǎo)體器件存在缺陷態(tài)等無序因素，其載流子的輸運往往表現(xiàn)為躍遷形式。半導(dǎo)體中的缺陷態(tài)種類較為復(fù)雜，準(zhǔn)確認識并描述半導(dǎo)體器件中的載流子輸運及宏觀電學(xué)特性是本領(lǐng)域內(nèi)的難點和重點。
 

　　低溫下半導(dǎo)體器件所廣泛表現(xiàn)出的非線性伏安(I-V)特性的具體物理原因是備受關(guān)注的話題之一。此前，多數(shù)研究將非線性I-V特性歸因于電場對半導(dǎo)體材料中的電子躍遷速率的均勻調(diào)制效應(yīng)。這一解釋沒有解決非線性輸運的問題，反而引發(fā)了更激烈的爭論。
 

　　中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室劉明院士團隊從理論方面提出了載流子的“集體輸運效應(yīng)”(collective transport)的物理機制。該理論認為外電場所導(dǎo)致的非均勻分布的滲流路徑生長產(chǎn)生了collective transport效應(yīng)，進而在器件尺度上導(dǎo)致非線性的I-V特性。在實驗方面，該團隊進一步在聚合物器件中，通過巧妙控制半導(dǎo)體的維度實現(xiàn)了對器件滲流閾值的控制，在此基礎(chǔ)上通過對器件I-V非線性程度的控制直接證實了非線性輸運來源于collective transport這一假設(shè)。該工作實現(xiàn)了關(guān)于上述話題互存爭議的各種假設(shè)的統(tǒng)一，為發(fā)展操控半導(dǎo)體器件I-V特性的方法提供了理論依據(jù)。
 

　　相關(guān)研究成果以Collective Transport for Nonlinear Current-Voltage characteristics of Doped Conducting Polymers為題，發(fā)表在《物理評論快報》【Physical Review Letters 130, 177001 (2023)】上。
 

　　a.collective transport模型，b.電場驅(qū)動滲流路徑的形成，c.實驗觀測到維度控制的非線性輸運，d.基于collective transport理論仿真維度控制的非線性輸運。