【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】近期，集成電路學院羅為教授、張悅教授合作的磁聲耦合效應傳感研究結果在物理學期刊《物理評論快報》(Physical Review Letters)上發(fā)表。
 

　　圖中ac為低楊氏模量Ni膜及其二重對稱磁聲耦合效應，bd為高楊氏模量Ni膜及其四重對稱磁聲耦合效應。
 

　　磁彈耦合效應是磁聲多物理場耦合器件的核心物理機制。在瑞利波或水平剪切波等典型的聲表面波(SAW)激勵下，磁彈耦合能一般表現(xiàn)出四重對稱性，即在相鄰夾角為90度的四個不同方向下，磁彈耦合能達最大，這是目前磁聲耦合器件的基本性能。
 

　　實驗發(fā)現(xiàn)一種具有獨特二重對稱性的磁聲耦合效應，該效應源于楊氏模量較低的磁性薄膜中隨膜厚顯著增強的垂直剪切應變。在傳統(tǒng)四重對稱磁聲耦合效應中，這一垂直剪切應變通常被認為極其微弱。然而，通過結合實驗，理論計算與多物理場仿真，該團隊提出當磁性薄膜的楊氏模量較低時，該垂直剪切應變將顯著增強，并占據(jù)主導地位，從而產(chǎn)生具有獨特二重對稱的磁聲耦合效應。該效應為具有非互易和拓撲特性的新型磁子-聲子耦合器件的研究開辟了新道路。
 

　　研究由集成電路學院羅為教授和張悅教授合作完成，陳發(fā)博士生為第一作者，日本東京大學Yoshichika Otani教授課題組廖立楊博士作為共同第一作者參與主要理論分析工作，傅邱云教授和陳佳欣碩士生等人作出重要貢獻。