詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體特性測(cè)試儀可測(cè)試2KV,100A以?xún)?nèi)的IGBT,MOSFET,Diode,三極管等半導(dǎo)體器件的直流參數(shù)，如漏電、閾值、擊穿、壓降、截止等。測(cè)試參數(shù)的同時(shí)還...
產(chǎn)品型號(hào)：LADCT2000所在地：西安市更新時(shí)間：2026-07-28 在線(xiàn)留言
西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
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西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家
商鋪產(chǎn)品：31條
所在地區(qū)：陜西西安市
聯(lián)系人：李先生 （銷(xiāo)售總監(jiān)）
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體特性測(cè)試儀可測(cè)試2KV,100A以?xún)?nèi)的IGBT,MOSFET,Diode,三極管等半導(dǎo)體器件的直流參數(shù)，如漏電、閾值、擊穿、壓降、截止等。測(cè)試參數(shù)的同時(shí)還...
產(chǎn)品型號(hào)：LADCT2000所在地：西安市更新時(shí)間：2026-07-28 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： ST-DC2000_X半導(dǎo)體管特性圖示儀顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線(xiàn)；測(cè)量半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)；能在不損壞器件的情況下，測(cè)量半導(dǎo)體器件的極限參數(shù)；晶體管雙簇顯示...
產(chǎn)品型號(hào)：LADCT2000所在地：西安市更新時(shí)間：2026-07-28 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： IGBT,MOSFET,DIODE,高溫柵偏測(cè)試設(shè)備可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-HTGB_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 大功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)可測(cè)試 19大類(lèi)27分類(lèi) 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs / DIOD...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC2548所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 軌道級(jí)IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀用于測(cè)試軌道機(jī)車(chē)變流器IGBT模塊 Diode模塊的動(dòng)態(tài)交流參數(shù)7500V/5000A，短路電流8000A
產(chǎn)品型號(hào)：ST-AC7550_R2TQDS所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 分立器件測(cè)試儀MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試用于測(cè)試器件級(jí)的Diode,IGBT,MOSFET動(dòng)態(tài)交流參數(shù)1200V/100A，短路電流2500A替代ITC57300...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-AC1200_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 生產(chǎn)線(xiàn)大功率IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)ST-（Semiconductor Test）DC（Direct current）1520（1500V2000A）FAT...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC1520_FATL所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 達(dá)林頓陣列參數(shù)測(cè)試儀可測(cè)試 19大類(lèi)27分類(lèi) 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC2000_DARLINTON所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 壓變電阻測(cè)試儀可測(cè)試 19大類(lèi)27分類(lèi) 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MO...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC2000_R所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 美國(guó) ITC替代品 大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試，是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)...
產(chǎn)品型號(hào)：ENJ3020所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 萊姆IGBT測(cè)試系統(tǒng)替代品天光測(cè)控IGBT測(cè)試儀適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試，是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參...
產(chǎn)品型號(hào)：ENJ3020所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 天光測(cè)控可測(cè)量的MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀用于MOSFET&IGBT柵極電荷門(mén)極電荷Qg參數(shù)測(cè)試閾值電荷 Qg（th） 1nC~5000nC（支持 0.1nC ...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_Q（1200V100A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體檢測(cè)瞬態(tài)熱阻抗測(cè)試儀可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的熱...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_Zth（ja/jc）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 替代ITC57300的IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)試 Diode, IGBTs,MOSFETs等分立器件動(dòng)態(tài)交流參數(shù)測(cè)試1500V/600A，短路電流2500...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_X（1500V600A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 雪崩能量測(cè)試儀itc55100替代產(chǎn)品Si/SiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT雪崩能量測(cè)試儀單脈沖雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_U（1200V200A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： ?品牌：天光測(cè)控晶體管熱阻測(cè)試系統(tǒng)?型號(hào)：ST-Thermal-Rth?測(cè)量范圍：4000A/9V?測(cè)量精度：±0.1%set+0.4%FS?測(cè)試對(duì)象：IGBT...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal-Rth所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 天光測(cè)控IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試儀ST-DP_X（1200V200A 用于 Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試，1200V/200...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_X（1200V200A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 測(cè)試參數(shù): 二極管、三極管、MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體分立器件的柵電阻Rg、輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反饋電容Crss.測(cè)量量程: 100 mΩ~...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： ?用于 Si , SiC , GaN , 材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT , MOS-FET的正向偏置安全工作區(qū)測(cè)試?FBSOA和對(duì)應(yīng)的IV曲線(xiàn)?ICE電流0~...
產(chǎn)品型號(hào)：FBSOA1000所在地：咸陽(yáng)市更新時(shí)間：2023-11-10 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： ST-HTXB_X功率器件環(huán)境老化試驗(yàn)臺(tái)可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCR...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-HTXB_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線(xiàn)留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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