詳細(xì)摘要： SAMCOICP刻蝕機(jī)RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)
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青島佳鼎分析儀器有限公司
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詳細(xì)摘要： SAMCOICP刻蝕機(jī)RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)
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詳細(xì)摘要： SAMCO二手現(xiàn)貨ICP刻蝕機(jī)RIE-400iP是用于?4"晶圓的負(fù)載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，可對各種半導(dǎo)體和絕緣膜進(jìn)行高精度、高均勻性加工
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詳細(xì)摘要： SAMCOICP-RIE等離子體蝕刻設(shè)備RIE-800iP是一種能夠產(chǎn)生高密度等離子體的ICP（感應(yīng)耦合等離子體）蝕刻系統(tǒng)
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詳細(xì)摘要： SAMCOICP刻蝕設(shè)備RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設(shè)備，可處理多達(dá)?350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理
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詳細(xì)摘要： SAMCO深硅刻蝕設(shè)備RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備，用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工
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詳細(xì)摘要： SAMCO深硅刻蝕系統(tǒng)RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)
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詳細(xì)摘要： SAMCO深硅蝕刻設(shè)備RIE-802BCT是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)
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詳細(xì)摘要： SAMACOICP蝕刻設(shè)備RIE-800iPC，具有優(yōu)良工藝再現(xiàn)性的生產(chǎn)設(shè)備它是一種使用感應(yīng)耦合等離子體作為放電類型的高密度等離子體蝕刻設(shè)備
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詳細(xì)摘要： SAMCO二手翻新ICP刻蝕機(jī)RIE-400iPC，是高密度等離子體蝕刻系統(tǒng)，采用電感耦合等離子體作為放電形式
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詳細(xì)摘要： TEL/TOKYOELECTRON氧化物刻蝕系統(tǒng)TE8500采用VEXTA5相驅(qū)動器，針對8英寸晶圓的可是處理
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詳細(xì)摘要： TEL/TOKYOELECTRON二手翻新現(xiàn)貨刻蝕機(jī)TELIUSSP305SCCMTE，針對于12英寸的晶圓進(jìn)行刻蝕處理，采用接觸式刻蝕作業(yè)方式，可4個腔室同時...
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詳細(xì)摘要： LAMRESEARCH刻蝕機(jī)4400二手設(shè)備現(xiàn)貨供應(yīng)，針對6英寸晶圓進(jìn)行刻蝕處理
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詳細(xì)摘要： LAMRESEARCH二手翻新刻蝕機(jī)4500，針對6英寸晶圓的氧化刻蝕設(shè)備
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詳細(xì)摘要： AMATAPPLIEDMATERIALS刻蝕機(jī)CENTURADPSG5生產(chǎn)于2008年，針對12英寸的晶圓進(jìn)行刻蝕作業(yè)
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詳細(xì)摘要： AMATAPPLIEDMATERIALS二手刻蝕機(jī)CENTURAMXP+生產(chǎn)與1997年，針對8英寸的晶圓進(jìn)行氧化刻蝕處理
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詳細(xì)摘要： LamResearchRainbow4520刻蝕系統(tǒng)是一個單晶圓
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詳細(xì)摘要： LAMRESEARCH二手刻蝕設(shè)備4528，現(xiàn)貨封裝完畢，針對于200mm晶圓進(jìn)行刻蝕處理
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詳細(xì)摘要： Lam9600旨在蝕刻具有高度垂直側(cè)壁的鋁金屬和TiW層，適用于0.35um線寬
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詳細(xì)摘要： LAMRESEARCH二手刻蝕機(jī)2300V2KIYO45，生產(chǎn)于2010年，針對于12英寸晶圓進(jìn)行刻蝕處理
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詳細(xì)摘要： /LAMRESEARCH刻蝕機(jī)RAINBOW4720已完成封裝打包，支持針對6英寸和8英寸的晶圓進(jìn)行修改
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