離子源 RFICP140 濺射沉積立方氮化硼薄膜 參考價：360000
立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 ...
大面積射頻離子源應(yīng)用于IBE 離子束蝕刻系統(tǒng) 參考價：360000
上海伯東美國 KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性（1 ...
考夫曼離子源 KDC 系列 鍍膜機(jī) 參考價：面議
上海伯東美國*考夫曼離子源 KDC 系列, 加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 增強(qiáng)設(shè)計輸出高質(zhì)量,穩(wěn)定的電子流.
霍爾離子源典型應(yīng)用 IBAD 輔助鍍膜 鍍膜機(jī) 參考價：面議
上海伯東離子源典型應(yīng)用: 直徑 2.2m 蒸鍍機(jī), 霍爾離子源用于蒸鍍直徑 1.5m 天文望遠(yuǎn)鏡鏡片全反射膜, 僅需安裝1臺 EH 3000 HC 霍爾離子源,...
霍爾離子源典型應(yīng)用 IBE 離子刻蝕 鍍膜機(jī) 參考價：面議
上海伯東離子源典型應(yīng)用: 安裝在小型離子蝕刻機(jī)中的 KRI 霍爾離子源 EH 400 HC, 對 2英寸硅芯片蝕刻,霍爾離子源典型應(yīng)用 IBE 離子刻蝕
射頻離子源典型應(yīng)用 IBE 離子蝕刻 鍍膜機(jī) 參考價：面議
上海伯東離子源典型應(yīng)用: 安裝在離子蝕刻機(jī)中的 KRI 射頻離子源, 對應(yīng)用于半導(dǎo)體后端的6寸晶圓進(jìn)行刻蝕
射頻離子源典型應(yīng)用 LED-DBR 輔助鍍膜 鍍膜機(jī) 參考價：面議
上海伯東離子源典型應(yīng)用: 射頻離子源 RFICP 325 安裝在 1650 mm 蒸鍍機(jī)中, 實現(xiàn)離子輔助鍍膜 IBAD 及預(yù)清潔 Pre-clean, 完成 ...
KRI 射頻離子源 RFICP 系列 鍍膜機(jī) 參考價：面議
上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RF...
上海伯東代理線性霍爾離子源 eH Linear 參考價：300000
上海伯東代理美國* KRI線性離子源使用 eH 400 做為模組, 能應(yīng)用于寬范圍的襯底, 離子源長度高達(dá) 1 米, 通過嚴(yán)格調(diào)整模組間的距離可以實現(xiàn)的均勻性和...
上海伯東代理 KRI 霍爾離子源 eH 3000 參考價：600000
上海伯東代理美國* KRI 霍爾離子源 eH 3000 適合大型真空系統(tǒng), 與友廠大功率離子源對比, eH 3000 是目前市場上高效, 提供高離子束流的離子源...
上海伯東代理美國進(jìn)口霍爾離子源 eH 2000 參考價：540000
上海伯東代理美國* KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更*的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計提供高離子電流, 特...
上海伯東代理 KRI 霍爾離子源 eH 1000 參考價：420000
上海伯東代理美國* KRI 霍爾離子源 eH 1000 高效氣體利用, 低成本設(shè)計提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低...
上海伯東代理美國霍爾離子源 eH 400 參考價：360000
上海伯東代理美國* KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較...
伯東代理KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列 參考價：300000
上海伯東KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表...
上海伯東代理考夫曼離子源 KDC 160 參考價：840000
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼離子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列大,離子能量的柵極離子源, 適用于已知的所有離子源應(yīng)用, 離子源 KDC 16...
上海伯東代理 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 參考價：624000
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼離子源 KDC 100 中型規(guī)格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產(chǎn)設(shè)備中, 考夫曼離子源 KDC 100 采用雙陰極燈...
上海伯東代理 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 參考價：480000
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固...
上海伯東代理 KRI 考夫曼離子源 KDC 10 參考價：420000
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設(shè)備中, 例如預(yù)清洗, 離...
上海伯東代理美國進(jìn)口考夫曼離子源 KDC 75 參考價：600000
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內(nèi), 考夫曼離子源 K...
伯東代理KRI考夫曼離子源 Gridded KDC 系列 參考價：400000
上海伯東美國*考夫曼離子源 KDC 系列, 加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 增強(qiáng)設(shè)計輸出高質(zhì)量,穩(wěn)定的電子流.美國 KRI 考夫曼公司新升級 Gr...
上海伯東代理射頻離子源 RFICP 380 參考價：1920000
上海伯東美國考夫曼離子源 RFICP 380 特性:放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時間更長.2...
上海伯東代理 KRI 射頻離子源 RFICP 220 參考價：1212000
上海伯東代理美國* KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源,適用于離子濺鍍,離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 離子源 RFICP 2...
上海伯東代理 KRI 射頻離子源 RFICP 140 參考價：1320000
上海伯東代理美國* KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源，非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中...
上海伯東代理 KRI 射頻離子源 RFICP 100 參考價：1140000
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設(shè)計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計但是可以輸出 400 mA 離子流. 考夫曼型...(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
