詳細摘要： PICOFLOW?系統(tǒng)的目的是減緩反應氣體從反應腔中排出，從而增加其在反應腔中的停留時間。這允許前驅(qū)體有更長的時間擴散至樣品表面，對于提高通孔、高度曲折、納米多...
產(chǎn)品型號：PICOFLOW 擴散增強所在地：北京市更新時間：2026-06-29 在線留言北京正通遠恒科技有限公司
北京正通遠恒科技有限公司
詳細摘要： PICOFLOW?系統(tǒng)的目的是減緩反應氣體從反應腔中排出，從而增加其在反應腔中的停留時間。這允許前驅(qū)體有更長的時間擴散至樣品表面，對于提高通孔、高度曲折、納米多...
產(chǎn)品型號：PICOFLOW 擴散增強所在地：北京市更新時間：2026-06-29 在線留言
詳細摘要： 原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 AdvancedPICOSUN? R系列ALD產(chǎn)品能夠沉積高質(zhì)量薄膜，即使襯底結(jié)構(gòu)十分復雜，如多孔材料、高深寬比的溝槽或者納米...
產(chǎn)品型號：ALD R-200 Advanced所在地：北京市更新時間：2026-06-29 在線留言
詳細摘要： PICOSUN? P系列量產(chǎn)ALD系統(tǒng)定義了高產(chǎn)量ALD的新時代。我們?nèi)詣踊?、真空集群與產(chǎn)線兼容的原子層沉積系統(tǒng)確保了zui大的產(chǎn)出效率，并且具有*的工藝純度...
產(chǎn)品型號：ALD P-200 Pro所在地：北京市更新時間：2026-06-29 在線留言
詳細摘要： 原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 StandardPICOSUN? R系列ALD產(chǎn)品能夠沉積高質(zhì)量薄膜，即使襯底結(jié)構(gòu)十分復雜，如多孔材料、高深寬比的溝槽或者納米...
產(chǎn)品型號：ALD R-200 Standard所在地：北京市更新時間：2026-06-29 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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