摘要村田2220 X7R 100nF 1kV貼片電容2220超大尺寸(5.7×5.0mm)，1kV高壓額定，100nF在1kV X7R里屬大容量檔，單顆頂小封裝多顆，高功率回路不挑板標準鍍錫銅硬端電極，回流焊/波峰焊窗口都寬，通用回路不挑工藝絕緣電阻≥10000...

摘要村田C0G貼片電容 50V深圳燦航科技，村田(Murata)代理渠道，主推GRM全系MLCC。本料GRM2195C1H562JA01D為村田0805(2012)封裝C0G 5.6nF 50V通用料，村田原廠在產、LCSC/DigiKey/RS多源有貨，原廠直供渠道，假...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要方形壓電陶瓷片是標準厚度為2mm的環(huán)片，壓電陶瓷片單片位移可達3.3μm，它既可單獨使用也可疊堆后使用，疊堆高度增加，可獲得大的位移行程。通過將成品低壓壓電陶瓷片堆疊形成不同尺寸實現不同位移的壓電陶瓷。單片壓電陶瓷片內部有很多陶瓷層及電極層，相互交叉疊堆，外部兩側印刷...

摘要村田1206 X5R 22uF 25V貼片電容①超大容量：22μF@25V 集成于 1206 封裝，單顆即可替代多顆小容量料或小型鋁電解，適合電源輸出級大容量去耦與儲能。②II 類高容密度：X5R 單位體積容量高于 X7R、遠高于 C0G(I 類)，小占位實現大容量，...

摘要村田1206 X7R 3.3nF 1kV貼片電容 ①超高耐壓 1kV：覆蓋 AC-DC 輸入/輸出級、PFC、LED 驅動、充電樁輔助模塊等中高壓旁路，抗電源尖峰與浪涌余量極大。②3.3nF 適中容量：X7R 小容量料，絕緣仍 ≥10000MΩ、DF≤3.5%，比大容...

摘要村田1206 X7R 3.3nF 1kV貼片電容①超高耐壓 1kV：覆蓋 AC-DC 輸入/輸出級、PFC、LED 驅動、充電樁輔助模塊等中高壓旁路，抗電源尖峰與浪涌余量極大。②3.3nF 適中容量：X7R 小容量料，絕緣仍 ≥10000MΩ、DF≤3.5%，比大容量...

摘要村田0805 C0G 1.5nF 50V貼片電容①大容量中壓：1μF@250V 集成于 2220 封裝，兼顧容量與耐壓，單顆即可承擔電源去耦與母線旁路。②II 類高容密度：X7R 單位體積容量遠高于 C0G(I 類)，小占位實現大容量，省空間省料號。③250V 中高壓...

摘要村田0402 C0G 1nF 50V貼片電容①高 Q 低損耗：C0G(I 類)介質 Q 值≥1000、DF≤0.1%，高頻下幾乎不發(fā)熱、信號保真，遠優(yōu)于 X7R 等 II 類料。②近零溫漂：溫度系數 ±30ppm/℃，全溫域容值穩(wěn)定，適合定時、諧振、濾波等精...

摘要村田0805 C0G 1nF 100V貼片電容 ①高 Q 低損耗：C0G(I 類)介質 Q 值≥1000、DF≤0.1%，高頻下幾乎不發(fā)熱、信號保真，遠優(yōu)于 X7R 等 II 類料。②近零溫漂：溫度系數 ±30ppm/℃，全溫域容值穩(wěn)定，適合定時、諧振、濾波...

摘要 Agilent CDG-500 系列溫度補償電容薄膜規(guī)管可以在高壓范圍內提供較高精度?？商峁?1000 Torr 至 1 Torr 的全量程測量。

摘要 村田2220 X7R 1uF 250V貼片電容①大容量中壓：1μF@250V 集成于 2220 封裝，兼顧容量與耐壓，單顆即可承擔電源去耦與母線旁路。②II 類高容密度：X7R 單位體積容量遠高于 C0G(I 類)，小占位實現大容量，省空間省料號。

摘要村田0805 C0G 1.5nF 50V貼片電容①高 Q 低損耗：C0G(I 類)介質 Q 值≥1000、DF≤0.1%，高頻下幾乎不發(fā)熱、信號保真，遠優(yōu)于 X7R 等 II 類料。②近零溫漂：溫度系數 ±30ppm/℃，全溫域容值穩(wěn)定，適合定時、諧振、濾波...

摘要村田1206 22nF 50V C0G高 Q 低損耗：C0G(I 類)介質 Q 值≥1000、DF≤0.1%，高頻下幾乎不發(fā)熱、信號保真，遠優(yōu)于 X7R 等 II 類料。②近零溫漂：溫度系數 ±30ppm/℃，全溫域容值穩(wěn)定，適合定時、諧振、濾波等精度敏感電...

摘要村田1206 X7R 3.3nF 630V貼片電容630V 高壓 X7R：在 1206 小型封裝內實現 630V 額定電壓與 3.3nF 容量，適配高壓濾波、吸收(snubber)與去耦。溫度穩(wěn)定 II 類介質：X7R 全溫區(qū)（-55℃ 至 125℃）容量變化 ≤&#...

摘要村田1206 X7R 3.3nF 630V貼片電容溫度穩(wěn)定 II 類介質：X7R 全溫區(qū)（-55℃ 至 125℃）容量變化 ≤±15%，高壓滿載工況波動小。低 ESR/低 ESL：多層陶瓷結構高頻特性優(yōu)良，適合抑制開關電源與逆變器的電壓尖峰及 EMI。高絕緣...

摘要村田X7R 3.3nF 630V 貼片電容村田原廠 X7R II 類介質，3.3nF 容量、630V 高壓額定，1206 封裝3.2×1.6×1.25mm 小尺寸，630V 下穩(wěn)定承載，比 0805 余量更足低 ESR/ESL，高頻特性好，脈沖響應...

摘要村田X7R 100nF 250V 貼片電容村田原廠 X7R II 類介質，100nF 容量、250V 中高壓額定，1210 封裝3.2×2.5×2.0mm 尺寸，比 0805/1206 在 250V 下余量更足、容量更穩(wěn)低 ESR/ESL，高頻特性...

摘要村田C0G 22nF 50V 貼片電容村田（Murata）原廠 C0G(NP0) I 類溫度補償 MLCC，22nF 50V 1206；容量溫度特性近乎零漂移（±30ppm/℃），低損耗、高 Q 值，高頻特性優(yōu)異；適配諧振、定時、濾波、溫度補償等對穩(wěn)定性要求...

摘要村田X7R 47nF 1kV 貼片電容村田原廠 X7R II 類介質，47nF 容量、1000V 高壓額定，1812 封裝4.5×3.2mm 大尺寸，1000V 下仍能穩(wěn)定承載，比 630V 料余量更足低 ESR/ESL，高頻特性好，脈沖響應與降噪性能出色（...

摘要村田X7R 100nF 630V 貼片電容村田原廠 X7R II 類介質，100nF 容量、630V 高壓額定，1812 封裝4.5×3.2mm 大尺寸，比 1206/1210 承載更高電壓與電流低 ESR/ESL，高頻特性好，脈沖響應與降噪性能出色（村田原...

摘要 村田C0G 22nF 50V 貼片電容村田原廠 C0G（NP0）I 類溫度補償介質，溫漂近似零，穩(wěn)定性高22nF 容量、50V 額定，1206 封裝，通用易替換超低損耗（DF≤0.1%，Q≥1000），高頻特性優(yōu)異原廠現貨，批次可追溯

摘要VISHAY電容 Phawos 1/2000/1kS-KL 康拉德---“歐洲品牌*，鑄造中歐貿易新橋梁” 北京康拉德科技有限公司是一家專業(yè)從事歐洲工業(yè)產品進口貿易的公司，致力于打造德國、瑞士等歐洲中小型自動化企業(yè)與國內客戶的連接橋梁，專業(yè)做工控產品和用戶...

摘要VISHAY Phawos 1/2667/1.5kS-KL 電容 康拉德---“歐洲品牌*，鑄造中歐貿易新橋梁” 北京康拉德科技有限公司是一家專業(yè)從事歐洲工業(yè)產品進口貿易的公司，致力于打造德國、瑞士等歐洲中小型自動化企業(yè)與國內客戶的連接橋梁，專業(yè)做工控產...

摘要電容 Phawos 1/2000/1kS-KL VISHAY康拉德---“歐洲品牌*，鑄造中歐貿易新橋梁” 北京康拉德科技有限公司是一家專業(yè)從事歐洲工業(yè)產品進口貿易的公司，致力于打造德國、瑞士等歐洲中小型自動化企業(yè)與國內客戶的連接橋梁，專業(yè)做工控產品和用...

摘要ELECTRONICON E62.C58-221E40 電容 康拉德---“歐洲品牌*，鑄造中歐貿易新橋梁” 北京康拉德科技有限公司是一家專業(yè)從事歐洲工業(yè)產品進口貿易的公司，致力于打造德國、瑞士等歐洲中小型自動化企業(yè)與國內客戶的連接橋梁，專業(yè)做工控產品和用戶...

摘要村田1206 C0G 22nF 50V 貼片電容，C0G（NP0）I 類溫度補償介質，溫漂極小（±30ppm/℃）高 Q 低損耗，高頻特性優(yōu)異，適配諧振、定時、時鐘與精密濾波22nF 以 C0G 在 1206 實現，容量穩(wěn)定不隨溫壓漂移，II 類介質難替代絕...

摘要TDK車規(guī)1210X7S10uF50V貼片電容 CGA6P3X7S1H106K 是車規(guī)級多層陶瓷電容（MLCC），1210 封裝、50V 額定電壓，采用 X7S II 類介質，標稱容量 10µF（10000nF），容差正負10%。通過 AEC-Q200 認證...

摘要TDK車規(guī)1210 4.7uF 50V CGA 系列車規(guī)級多層陶瓷貼片電容（MLCC），型號 CGA6N3X7S1H475K，采用 1210（3225 公制）封裝，容量 4.7uF 正負百分之10，額定電壓 50V DC，X7S 介質。本料號為 CGA 系列標準軟端子...

摘要 高壓疊堆壓電陶瓷是將單晶體壓電陶瓷片與金屬電極層交替疊堆粘接而成，標準驅動電壓0~500V或0~1000V，高壓疊堆陶瓷因其出力大，靜電容量低等特點，適用于大負載以及加載預緊力后的動態(tài)的應用。柱形高壓壓電疊堆陶瓷

摘要 低壓疊堆共燒工藝壓電陶瓷具有優(yōu)異的性能及超長使用壽命，適用于科學實驗以及工業(yè)應用。疊堆壓電陶瓷包含方形及環(huán)形兩種外形結構，多種尺寸及位移可滿足不同應用的需求。特殊的絕緣材料確保在嚴苛的條件下動態(tài)性能的輸出，壓電陶瓷體積小巧，易集成。方形低壓壓電疊堆陶瓷

摘要壓電陶瓷管掃描器是徑向極化壓電材料的薄圓管體，具有四個外部電極和連續(xù)的內部電極。當電壓施加到外部電極之一時，相應區(qū)域的致動器管壁膨脹，這引起管尖的垂直收縮和大的橫向偏轉。圓周電極可用于垂直或徑向的伸展和收縮。 壓電管掃描儀廣泛用于掃描探針顯微鏡、光纖擺動和光束掃描等應...

摘要TDK車規(guī)1210 6.8uF 25V CGA 系列車規(guī)級多層陶瓷貼片電容（MLCC），型號 CGA6P3X7R1E685K，采用 1210（3225 公制）封裝，容量 6.8uF 正負10%，額定電壓 25V DC，X7R 介質。本料號為 CGA 系列標準軟端子（S...

摘要TDK 東電化 CGA 系列車規(guī)級多層陶瓷貼片電容（MLCC），TDK車規(guī)1210 4.7uF 25V X7R型號 CGA6M2X7R1E475K，采用 1210（3225 公制）封裝，容量 4.7uF 正負10%，額定電壓 25V DC，X7R 介質。本料號為 CG...

摘要 雙疊片式壓電彎曲片是利用壓電陶瓷的逆壓電效應，在電場的驅動下產生橫向位移的彎曲元件。結構上采用雙疊片結構，兩層壓電陶瓷片同極化方向排列，與中間電極層緊密粘結，在交變電源的驅動下產生相應的振動幅度，應用于微位移驅動裝置。

摘要 環(huán)形壓電陶瓷彎曲片，將環(huán)形彎曲片的外徑邊緣進行固定，通過芯明天壓電控制器對其施加電壓后，它的中心位置會產生上下凹凸運動。