摘要華科智源靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車...
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摘要華科智源靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車...
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摘要華科智源半導(dǎo)體器件I-V測(cè)試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，...
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摘要華科智源功率器件靜態(tài)參數(shù)iv曲線分析儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道...
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摘要華科智源半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道...
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摘要華科智源GaN器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，...
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摘要華科智源功率芯片靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，...
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摘要華科智源功率半導(dǎo)體測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車...
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摘要華科智源元器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)...
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摘要華科智源功率器件測(cè)試儀系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽...
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摘要華科智源SiC器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通...
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摘要華科智源大功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌...
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摘要華科智源SiC器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，...
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摘要華科智源大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交...
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摘要華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通...
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摘要 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：美國(guó)EPD-MK2電子個(gè)人劑量計(jì)美國(guó)賽默飛世爾 EPD MK2電子個(gè)人劑量計(jì) 型號(hào)：EPD MK2規(guī)格：EPD MK2品牌：美國(guó)ThermoFisher應(yīng)用領(lǐng)域反應(yīng)堆乏燃料運(yùn)輸核燃料回收核能源研究機(jī)構(gòu)加速器設(shè)施醫(yī)療設(shè)施產(chǎn)品特征多級(jí)探測(cè)器探測(cè)X、γ和β輻射$r
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摘要產(chǎn)品簡(jiǎn)介：中國(guó)臺(tái)灣路昌FG-5020 20Kg電子式推拉力計(jì)FG5020中國(guó)臺(tái)灣路昌FG-5020 20Kg電子式推拉力計(jì)FG5020FG-5020 20Kg電子式推拉力計(jì)FG5020詳細(xì)參數(shù)FG-5020 電子式推拉力計(jì)20KgFG-5020 20 Kg FORCE...
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摘要 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：EPD-G 電子個(gè)人劑量計(jì)多級(jí)探測(cè)器技術(shù)，出色的X、γ響應(yīng)報(bào)警闕值（劑量、劑量率），音量均可以調(diào)節(jié)電源：AA （可連續(xù)適用8周）（可連續(xù)適用5個(gè)月）無(wú)電池情況下數(shù)據(jù)可以保存10年ADS劑量管理，存儲(chǔ)峰值劑量率與相應(yīng)的時(shí)間，相應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域設(shè)置了密碼
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摘要產(chǎn)品簡(jiǎn)介：一、DMC2000S電子式χγ個(gè)人劑量計(jì)DMC2000S個(gè)人劑量報(bào)警儀是一種從事γ射線和X射線輻照工作人員的個(gè)人劑量報(bào)警儀。是能夠準(zhǔn)確測(cè)量輻射劑量以確保使輻照工作人員的輻射劑量保持在合理地達(dá)到低水平。劑量率或累計(jì)劑量值顯示在液晶顯示屏上。當(dāng)劑量或劑量率超過(guò)預(yù)...
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摘要產(chǎn)品簡(jiǎn)介：美國(guó)熱電EPD TruDose G電子個(gè)人劑量報(bào)警儀使用電子個(gè)人劑量計(jì)保護(hù)您的員工，該劑量計(jì)在您機(jī)構(gòu)的*關(guān)鍵區(qū)域提供實(shí)時(shí)輻射監(jiān)控。Thermo ScientificEPD TruDose電子個(gè)人劑量計(jì)可在工人需要監(jiān)控其輻射暴露的任何環(huán)境中監(jiān)控伽馬和Beta輻...
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摘要華科智源大功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)...
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摘要BW-3011A便攜式固態(tài)繼電器/可控硅光耦參數(shù)測(cè)試儀專為各種4 腳、6腳 交/直流型光耦固態(tài)繼電器提供了輸入正向壓降（VF）和輸出正反向耐壓、觸發(fā)電流、導(dǎo)通內(nèi)阻、導(dǎo)通壓降等主要參數(shù)的測(cè)試、和參數(shù)”合格/不合格”(OK/NO)測(cè)試。4腳光電(如PC817等類型）4腳開(kāi)...
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摘要 是德 B1505A 功率器件分析儀曲線追蹤儀模塊化主機(jī)和 B1500A 共用測(cè)試軟件專測(cè) SiC GaN IGBT 功率器件支持高壓大電流高壓電容測(cè)試微歐導(dǎo)通電阻測(cè)量可對(duì)接探針臺(tái)整機(jī)價(jià)值看內(nèi)部模塊開(kāi)機(jī)正常有使用痕跡貴重儀器勿直拍配置價(jià)格私聊大件運(yùn)費(fèi)到付支持儀器回收置換
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摘要華科智源大功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽...
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摘要是德安捷倫 B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀實(shí)驗(yàn)室拆機(jī)設(shè)備 內(nèi)置系統(tǒng)預(yù)裝測(cè)試軟件支持 IV CV 脈沖器件測(cè)試可對(duì)接探針臺(tái)自動(dòng)化測(cè)試機(jī)器價(jià)值主要看內(nèi)部模塊 不同模塊價(jià)格差異大整機(jī)開(kāi)機(jī)正常有正常使用痕跡 可提供開(kāi)機(jī)測(cè)試視頻貴重儀器不要直接拍下配置和價(jià)格私聊溝通大件運(yùn)費(fèi)到付...
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摘要 l 探測(cè)提示：聲音/震動(dòng)l 可探測(cè)距離：6CMl 可探測(cè)頻率：13KHzl 可探測(cè)物品：手機(jī)、錄音筆、米L耳機(jī)、q聽(tīng)器，作B器等電子產(chǎn)品l 電池：9V電池l 產(chǎn)品尺寸：365*60*30mml 產(chǎn)品重量：350克、
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摘要?作業(yè)質(zhì)量： ≤4千克；?探測(cè)距離： ≥18厘米（對(duì)72式防步兵地雷）；?土壤適應(yīng)性：粘土、沙土、磁性土、紅土等；?連續(xù)工作時(shí)間：不小于4小時(shí) ；?報(bào)警方式：具備聲音、圖像、振動(dòng)報(bào)警方式；?靈敏度調(diào)節(jié)功能：靈敏度高、中、低檔可設(shè)置；?工作溫度：-40～+50攝...
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摘要速度開(kāi)機(jī)時(shí)間12s設(shè)置時(shí)間＜10s地面調(diào)整時(shí)間＜20s復(fù)位時(shí)間＜1s尺寸探頭尺寸280mm折疊尺寸425mm×280mm×100mm展開(kāi)尺寸＞1400mm便攜包440mm×300mm×150mm重量帶電池＜2.6kg不帶電池＜2...
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摘要作業(yè)全重： ≤3kg探測(cè)距離： ≥15cm(對(duì)GLD111型防步兵地雷)作業(yè)長(zhǎng)度： 90cm～130cm連續(xù)可調(diào)探頭直徑： ≥20cm報(bào)警方式： 聲音和LED顯示土壤適應(yīng)性： 一般土壤、磁...
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摘要?體積：340 mm×268 mm×70 mm；?主機(jī)重量：3.5kg；?內(nèi)置鋰電池供電，DC+10.8V，78Wh； ?AD位數(shù)：16位；?掃描速率：16/32/64/128/256/512/1024Hz可選； ?記錄道長(zhǎng)度：256/512/10...
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摘要1)作業(yè)全重：≤2.8Kg（內(nèi)置電池，不含附件、外包裝）；2)尺寸：作業(yè)長(zhǎng)度：708mm±5mm～1568mm±5mm；探頭直徑：255mm±5mm；3)探測(cè)距離：≥165mm（在空氣介質(zhì)中對(duì)GLD111型防步兵地雷（教練雷））；4)定位...
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摘要探測(cè)頭直徑19.5mm攝像器件1/3 CMOS Sensor像素500萬(wàn)光源6顆LED燈白光（可定制紅外）鏡頭0.5mm F1.2 105 °HDMIFPD-LinkⅢ尺寸&重量19.5 x 35mm探測(cè)桿尺寸伸縮桿收縮：1.13米展開(kāi)約5米7寸高清...
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摘要探測(cè)頭攝像器件高清芯片像素500萬(wàn)光源8顆LED燈（7檔亮度可調(diào)節(jié)）鏡頭3.6mm F1.2 (H )120 °攝像頭旋轉(zhuǎn)360°水平旋轉(zhuǎn)，360°垂直旋轉(zhuǎn)焦距20-100 厘米尺寸34.5*51.5mm照明2-5米伸縮桿收縮：1.38...
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摘要l 探測(cè)提示：聲音/震動(dòng)l 可探測(cè)距離：6CMl 可探測(cè)頻率：13KHzl 可探測(cè)物品：手機(jī)、錄音筆、米L耳機(jī)、q聽(tīng)器，作B器等電子產(chǎn)品l 電池：9V電池l 產(chǎn)品尺寸：365*60*30mml 產(chǎn)品重量：350克、三、產(chǎn)品包含l 手持式通訊設(shè)備探測(cè)器一件l 9V電池一...
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摘要連接器 MCX插座 - 50歐姆輸入頻率范圍 1MHz – 10GMHz（10GHz）靈敏度100MHz的 - 49dBm200MHz的 - 48dBm500MHz的 - 47dBm1GHz的 - 44dBm2GHz...
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摘要 探測(cè)方法：微分電磁場(chǎng)測(cè)試識(shí)別有利于本地F射器 探測(cè)能力：所有類型發(fā)射機(jī) 頻率響應(yīng)：+/-5dB 10MHz高超過(guò)6500MHz靈敏度：平均-50dBm能量源：9V堿性PP3電池提供24小時(shí)持續(xù)操作 尺寸：122mm×62mm×22mm重量：245g
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摘要 可探測(cè)到AM, WFM, NFM, 副載波頻率,載波信號(hào), 單頻, 雙頻和抑制載波的不同頻段發(fā)S器. ?多種探頭設(shè)計(jì)，滿足不同探測(cè)需要，包括射頻探頭、攝像探頭、音頻探頭、電話網(wǎng)絡(luò)探頭和激光、近紅外J聽(tīng)探頭 ?操作簡(jiǎn)單，信息讀取方便
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摘要CPM-700豪華版產(chǎn)品包包括：1.CPM-700反J控探頭/J視器2.標(biāo)準(zhǔn)RF探頭：頻率范圍50KHz-3GHz3.寬帶微波探頭（BMP-120），頻率范圍2GHz—12GHz(次探頭是定向的，比4.探測(cè)范圍達(dá)2.4GHz的標(biāo)準(zhǔn)RF探頭還要靈敏)5.聲學(xué)泄漏探頭，用...
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摘要屏蔽通道頻率范圍制式通道1869M～880MCDMA/LTE通道2930M～960MGSM/WCDMA/LTE通道31805M～1880MDCS/LTE通道41885M～1915MLTE通道52010M～2025MLTE通道62110M～2170MWCDMA/LTE通...
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摘要華科智源大功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽...
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摘要華科智源igbt性能測(cè)試儀器失效分析可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通...
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摘要華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)...
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摘要華科智源功率半導(dǎo)體IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道...
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LET-SP802半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試
LET-SP802 半導(dǎo)體圖示儀是一款測(cè)量與分析功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的專用儀器，為所有類型的功率半導(dǎo)體器件提供靜態(tài)參數(shù)測(cè)量解決方案。SP802 半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)能在 200V 和 10A 的條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量、分析功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)。
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