半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流I-V測(cè)試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎(chǔ),通常使用I-V特性分析或I-V曲線來(lái)決定器件的基本參數(shù)。
分立器件I-V特性測(cè)試的主要目的是通過(guò)實(shí)驗(yàn)幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù),并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。在半導(dǎo)體制程的多個(gè)階段都有應(yīng)用,如金屬互連,鍍層階段,芯片封裝后的測(cè)試等。
普賽斯儀表開發(fā)的國(guó)產(chǎn)源表搭建晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái),由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元(SMU)、夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET器件為例,配套以下設(shè)備:
兩臺(tái)S型數(shù)字源表
四根三同軸電纜
夾具或帶有三同軸接口的探針臺(tái)
三同軸T型頭

需要測(cè)試的參數(shù):
輸出特性曲線
轉(zhuǎn)移特性曲線
跨導(dǎo) gm
擊穿電壓 BVDS

需要儀器列表:
SMU 源表
探針臺(tái)或夾具
普賽斯上位機(jī)軟件

高校相關(guān)專業(yè)
測(cè)控,微電子
電氣,自動(dòng)化,機(jī)械
所有開設(shè)模擬電路課程的專業(yè)








































万载县|
江孜县|
崇阳县|
年辖:市辖区|
泰州市|
玉龙|
且末县|
长泰县|
克什克腾旗|
迁西县|
东莞市|
塘沽区|
瑞金市|
腾冲县|
承德县|
贵溪市|
岑溪市|
贺州市|
谢通门县|
乌海市|
句容市|
永嘉县|
泗水县|
封开县|
南阳市|
龙海市|
章丘市|
新建县|
包头市|
玉溪市|
亳州市|
宣化县|
新乡市|
凉城县|
新宁县|
澳门|
宁明县|
永新县|
宜君县|
和平区|
泸州市|