全新的CHIP DSC 1集成DSC所有主要部件（爐體、傳感器和電子器件）于一個小型透明外殼中。芯片布置包括加熱器和溫度傳感器，其在具有金屬加熱器和溫度傳感器的化學(xué)惰性陶瓷裝置中。                                             
這種布置允許更高的再現(xiàn)性，并且由于低質(zhì)量且功能良好的溫度控制裝置。該儀器的加熱速率高達(dá)100℃/min。集成傳感器不但便于用戶交換而且價格低廉。

芯片傳感器的集成設(shè)計可為用戶提供可靠的原始數(shù)據(jù)，并且在無需實(shí)施熱流數(shù)據(jù)預(yù)先或事后處理的條件下，即可直接完成分析過程。

這種緊湊型結(jié)構(gòu)大幅度降低生產(chǎn)成本，使客戶受惠。低能耗和好的動態(tài)響應(yīng)功能，使CHIP-DSC具備好的性能。

傳感器設(shè)計

集成加熱器和溫度傳感器的商業(yè)熱通量DSC，具有良好的靈敏度、時間常數(shù)和加熱/冷卻速度。

靈敏度 - 用于測試熔融和微弱轉(zhuǎn)變

低質(zhì)量CHIP DSC傳感器設(shè)計使其具有良好的響應(yīng)速度。 

基準(zhǔn)分辨率 - 分離似然事件

的傳感器設(shè)計使其具有基準(zhǔn)分辨率和分離似然事件功能。

冷卻速度–低質(zhì)量芯片傳感器

低質(zhì)量CHIP DSC傳感器為我們帶來良好的冷卻速度，從而具備快速樣品處理能力。

技術(shù)參數(shù)

來自LINSEIS智能軟件解決方案

全新的Platinum軟件極大地提高了您的工作流程，因?yàn)橹庇^的數(shù)據(jù)處理只需要的少量參數(shù)輸入。

Auto Engy在評價諸如玻璃化轉(zhuǎn)變或熔點(diǎn)等標(biāo)準(zhǔn)工藝時為用戶提供有價值的指導(dǎo)。

熱庫產(chǎn)品識別工具，提供一個數(shù)據(jù)庫與600個聚合物允許一個自動識別工具為您的測試聚合物。

儀器控制和/或通過移動設(shè)備進(jìn)行監(jiān)控，無論你在哪里，都能控制。

• 軟件包與Windows操作系統(tǒng)兼容

• 設(shè)置菜單條目

• 所有具體的測量參數(shù)（用戶，實(shí)驗(yàn)室，樣品，公司等）

• 可選密碼和用戶級別

• 對所有步驟撤消和重做函數(shù)

• 無限加熱、冷卻或停留時間段

• 多種語言版本，如英語、德國、法語、西班牙語、中文、日語、俄語等（用戶可選擇）

• 評價軟件具有多種功能，能夠評估所有類型的數(shù)據(jù)。

• 多重平滑模型

• 完整的評估歷史（所有步驟都可以撤消）

• 評價和數(shù)據(jù)采集可以同時進(jìn)行。

• 可以用零校正數(shù)據(jù)和校準(zhǔn)校正

• 數(shù)據(jù)評價包括：峰值分離軟件信號校正與平滑、一階導(dǎo)數(shù)和二階導(dǎo)數(shù)、曲線算法、數(shù)據(jù)峰值評價、玻璃點(diǎn)評價、斜率修正?？s放/單獨(dú)片段顯示、多曲線疊加、注釋和繪圖工具、復(fù)制到剪貼板功能、圖形和數(shù)據(jù)導(dǎo)出的多個輸出特征、基于引用的校正

無主動式冷卻器條件下的快速冷卻速率

林賽斯CHIP DSC可在無需主動式冷卻器的條件下，提供快速的彈道式冷卻速率。鑒于該儀器具有熱質(zhì)量低和傳感器設(shè)計新穎的特性，因此在高溫段至100℃的冷卻過程中，可提供200℃/min的冷卻速率，在100℃/min至室溫的冷卻過程中，可提供50℃/min的冷卻速率。在本測試實(shí)例中，我們從400℃等溫線溫度開始實(shí)施彈道式冷卻進(jìn)程。最終冷卻至50℃的時間僅為3分鐘。當(dāng)然，我們也可以在冷卻階段實(shí)施評估進(jìn)程。此類評估同樣不會存在靈敏度或準(zhǔn)確性損失。

測量PET顆粒

聚合物分析是DSC的主要應(yīng)用之一。在聚合物分析中，我們比較關(guān)注玻璃化轉(zhuǎn)變、熔點(diǎn)和結(jié)晶點(diǎn)的影響，但通常很難完成此類檢測進(jìn)程。新型的林賽斯芯片式DSC具有高分辨率和高靈敏度特性，這使得該儀器成為聚合物分析的理想工具。在本實(shí)例中，對PET顆粒進(jìn)行加熱，再進(jìn)行淬火冷卻使其成為非晶態(tài)，然后使用Chip DSC，按照50K/min的線性加熱速率進(jìn)行分析。該曲線顯示，PET顆粒在80℃呈現(xiàn)明顯的玻璃化轉(zhuǎn)變，隨后在148℃呈現(xiàn)冷結(jié)晶的非晶態(tài)，并在230℃出現(xiàn)熔融峰。