IGBT測試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測試。

MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺特點(diǎn)和優(yōu)勢：

單臺Z大3500V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大6000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測試；

系統(tǒng)指標(biāo)

測試項(xiàng)目

集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續(xù)流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯

MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺集多種測量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準(zhǔn)測量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶添加或升級測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。