OKAMOTO GNX200BP晶圓研磨/晶圓減薄特點: |
GNX200BP是一款持續(xù)向下進給式減薄設備,采用機械臂傳送硅片,減薄完成后,有兩個獨立的清洗腔,清洗效果更佳。工作盤轉速、主軸轉速、主軸下壓速度都可調,有助于平衡產(chǎn)量、減薄品質、磨輪壽命。采用兩點式實時測厚儀測量主軸1和主軸2下的硅片厚度,采用3點測控主軸角度調整機構來控制加工的平整度(TTV)。減薄工序完成后,硅片即會被自動傳送的拋光腔,經(jīng)過拋光工序,去除硅片表面損傷,提高晶圓強度,可以加工50μm的晶圓。
OKAMOTO GNX200BP晶圓研磨/晶圓減薄規(guī)格參數(shù): |
支持wafer尺寸 | 8英寸 |
主軸形式 | 空氣主軸,3600rpm |
主軸驅動電機功率 | 2.2kW/4kW |
磨輪直徑 | 250mm |
工作臺數(shù)量 | 3個工作臺 |
工作臺形式 | 機械軸(標配)承或空氣軸承(選配) |
工作臺轉速 | 1-600rpm |
測厚機構 | 2點接觸式測厚機構 |
測厚精度 | 1um |
測厚范圍 | 0-1.2mm |
料盒數(shù)量 | 每個工作單元(減薄&拋光)各2個料盒 |
拋光機構功率 | 3kW 交流伺服電機(0-460rpm) |
| 拋光波速 | 100-8000mm/min |
| 拋光壓力 | 50-999g/cm2 |
| 拋光磨輪尺寸 | 200mm |
| 拋光臺轉速 | 50-200rpm |
| 真空盤材質 | 氧化鋁邊框+陶瓷氣孔盤 |
| 自潔方式 | 水沖+刷洗 |




































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