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武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術有限公司的全資子公司，一直專注于半導體的性能測試儀表的開發(fā)、生產與銷售，致力于滿足半導體領域從材料、晶圓到器件測試用科學儀器的國產替代需求。

基于普賽斯電子領X的光學與光電技術、微弱信號處理與抗干擾技術、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術平臺優(yōu)勢，公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據采集卡等國產化電性能測試儀表，以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應式服務等優(yōu)勢，廣泛應用于新型半導體器件材料分析、半導體分立器件測試、集成電路測試、高校教學實訓平臺等應用；為客戶提供模塊化硬件、高效驅動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構建自定義解決方案，同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應鏈安全以及規(guī)?；奶魬?zhàn)。

普賽斯儀表自主研制的國產化數(shù)字源表，可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作。作為國內嶺先的半導體電性能測試儀表提供商，普賽斯儀表憑借長期的技術創(chuàng)新、精益的生產制造、嚴格的質量體系及國際化視野，推出的產品已被國內通信巨投和多家之名半導體企業(yè)認可和應用，是為數(shù)不多進入國際半導體測試市場供應鏈體系的半導體電性能測試設備廠商。未來，公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質的產品與Z貼心的服務”為宗旨，朝著圈球半導體電性能測試儀表的L跑者邁進。

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產品簡介在線詢價

產地	國產	加工定制	否	集電極-發(fā)射極最大電壓	3500V
最大電流	6000A	漏電流測試范圍	1nA~100mA

PMST系列wat半導體參數(shù)測試設備是武漢普賽斯正向設計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET.BJT、 IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試，并具有著越的測量效率、一致性與可靠性

wat半導體參數(shù)測試設備產品詳情

普賽斯wat半導體參數(shù)測試解決方案

PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試，并具有優(yōu)秀的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。

針對用戶不同測試場景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產線半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產線全自動化測試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。

wat半導體參數(shù)測試設備

從實驗室到小批量、大批量產線的全覆蓋

從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋

wat半導體參數(shù)測試設備

wat半導體參數(shù)測試設備特點

1、高電壓、大電流

具有高電壓測量/輸出能力，電壓高達3500V（蕞大可擴展至10kV）

具有大電流測量/輸出能力，電流高達6000A（多模塊并聯(lián)）

2、高精度測量

納安級漏電流，μΩ級導通電阻

0.1％精度測量

四線制測試

3、模塊化配置

可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元

系統(tǒng)預留升級空間，后期可添加或升級測量單元

4、測試效率高

內置專用開關矩陣，根據測試項目自動切換電路與測量單元

支持國標全指標的一鍵測試

5、軟件功能豐富

上位機自帶器件標準參數(shù)測試項目模板，可直接調取使用

支持曲線繪制

自動保存測試數(shù)據，并支持EXCEL格式導出

開放的標準SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成

6、擴展性好

支持常溫及低溫、高溫測試

可靈活定制各種夾具

可與探針臺，溫箱等第三方設備聯(lián)動使用

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產品，普賽斯提供

整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產品的測試。

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對wat半導體參數(shù)測試設備感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們

關鍵詞：標準儀表

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