功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備簡介 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級導(dǎo)通電阻精確測量、納安級漏電流測量能力等特點。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。 普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，配置有多種測量單元模塊，模塊化的設(shè)計測試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。    

系統(tǒng)組成 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，主要包括測試主機(jī)、測試夾具、工控機(jī)、上位機(jī)軟件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機(jī)可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。        

測試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設(shè)計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出，蕞高擴(kuò)展到12kV，且自帶漏電流測量功能。系統(tǒng)標(biāo)配C-V測試功能，支持Ciss/Coss/Crss參數(shù)及曲線測試，頻率默認(rèn)1MHz，可擴(kuò)展至10MHz

系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測試（蕞大擴(kuò)展至12kV）；    
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導(dǎo)通電阻、納安級漏電流測試；
模塊化設(shè)計：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；

測試效率高：可自動切換、一鍵測試；

溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；

兼容多種封裝：根據(jù)測試需求可定制夾具；

系統(tǒng)參數(shù)                                                                                                                                               

測試項目

二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線 

三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線 

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO