靜態(tài)特性測(cè)試挑戰(zhàn)

隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，測(cè)試和驗(yàn)證也變得更加重要。通常，主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標(biāo)，與工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)，如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓、漏電流、閾值電壓、跨導(dǎo)、壓降、導(dǎo)通內(nèi)阻)等。

功率半導(dǎo)體器件是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式器件，兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn):同時(shí)半導(dǎo)體功率器件的芯片屬于電力電子芯片，需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下，對(duì)芯片的可靠性要求較高，這給測(cè)試帶來(lái)了一定的困難。市面上傳統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求，但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，這就對(duì)器件的測(cè)試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

更高精度更高產(chǎn)量

并聯(lián)應(yīng)用要求測(cè)試精度提離，確保一致性

終端市場(chǎng)需求量大，要求測(cè)試效率提高，UPH提升

更寬泛的測(cè)試能力
更寬的測(cè)試范圍、更強(qiáng)的測(cè)試能力

更大的體二極管導(dǎo)通電壓

更低的比導(dǎo)通電阻

提供更豐富的溫度控制方式

更科學(xué)的測(cè)試方法

掃描模式對(duì)閾值電壓漂移的影響

高壓低噪聲隔離電源的實(shí)現(xiàn)

高壓小電流測(cè)量技術(shù)、高壓線性功放的研究

低電感回路實(shí)現(xiàn)

柔性化測(cè)試能力

兼容多種模塊封裝形式

方便更換測(cè)試夾具

靈活配置，滿足不同測(cè)試需求

PMST系列大功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)，精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET. BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有著越的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。

針對(duì)用戶不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功事器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。

系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（蕞大擴(kuò)展至12kV）；    
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測(cè)試；
模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級(jí)測(cè)量單元；
測(cè)試效率高：可自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測(cè)試；
兼容多種封裝：根據(jù)測(cè)試需求可定制夾具；

大功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試項(xiàng)目

二極管：反向擊穿電壓V_R、反向漏電流I_R、正向電壓V_F、 正向電流I_F、電容值C_d、I-V曲線、C-V曲線

三極管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES柵極內(nèi)阻R_g、輸入電容C_iss/C_ies、輸出電容、C_oss/C_oes、反向傳輸電容C_rss/C_res、跨導(dǎo)g_fs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、輸入電容C_T、輸出電容C_CE、 電流傳輸比C_TR、隔離電容C_IO