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PMST2210 igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)igbt檢測(cè)儀

參考價(jià)訂貨量

1000

≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)PMST2210
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時(shí)間2025-12-30
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 所在地區(qū)武漢市
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量488
  • 人氣值115184
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      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領(lǐng)X的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺先的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野,推出的產(chǎn)品被國(guó)內(nèi)通信巨投和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的L跑者邁進(jìn)。









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產(chǎn)地國(guó)產(chǎn) 加工定制
PMST系列igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)igbt檢測(cè)儀采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線
igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)igbt檢測(cè)儀 產(chǎn)品詳情

功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介   

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、納安級(jí)漏電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測(cè)試,如輸入電容、 輸出電容、反向傳輸電容等。普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),配置有多種測(cè)量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活,能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。      

igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)igbt檢測(cè)儀


系統(tǒng)組成 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試夾具、工控機(jī)、上位機(jī)軟件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試;也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。  測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,蕞支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至皮安級(jí)漏電流;集電極-發(fā)射極,蕞支持3000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;蕞支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能。系統(tǒng)標(biāo)配C-V測(cè)試功能,支持Ciss/Coss/Crss參數(shù)及曲線測(cè)試,頻率默認(rèn)1MHz。


igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)igbt檢測(cè)儀特點(diǎn) 

高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試;          
大電流:支持高達(dá)2KA大電流測(cè)試;
高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)電流測(cè)試;
模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化配置,可添加或升級(jí)測(cè)量單元;
測(cè)試效率高:可自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試;
溫度范圍廣:支持常溫、高溫測(cè)試;
兼容多種封裝:根據(jù)測(cè)試需求可定制夾具;



系統(tǒng)參數(shù)                                                                                                                                          

項(xiàng)目

參數(shù)

集電極-發(fā)射極

蕞大電壓

3500V

蕞大電流

1000A(可拓展至2000A)

準(zhǔn)確度

±0.1%

大電壓上升沿

典型值5ms

大電流上升沿

典型值15μs

大電流脈寬

50μs~500μs

漏電流測(cè)試量程

1nA~100mA

柵極-發(fā)射極

蕞大電壓

300V

蕞大電流

1A(直流)/10A(脈沖)

準(zhǔn)確度

±0.05%

最小電壓分辨率

30μV

最小電流分辨率

10pA

電容測(cè)試

典型精度

±0.5%

頻率范圍

10Hz~1MHz

電容值范圍

0.01pF~9.9999F

溫控

范圍

25℃~200℃

準(zhǔn)確度

±2℃


 


igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)igbt檢測(cè)儀測(cè)試項(xiàng)目

二極管:反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

三極管:V(BR)CEO、V(BR)CBOV(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IBCeb、 增益hFE,輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT:V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下):IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO



igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)igbt檢測(cè)儀


測(cè)試夾具

針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供整套測(cè)試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。


igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)igbt檢測(cè)儀





關(guān)鍵詞:工控機(jī)
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