詳細(xì)摘要： ST-HTXB_X功率器件環(huán)境老化試驗(yàn)臺(tái)可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCR...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-HTXB_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
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詳細(xì)摘要： ST-HTXB_X功率器件環(huán)境老化試驗(yàn)臺(tái)可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCR...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-HTXB_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-SP 2005晶體管測(cè)試儀可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2005所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-SP 2005晶體管測(cè)試儀可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-SP 2002_5所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體器件間歇壽命試驗(yàn)系統(tǒng)可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的
產(chǎn)品型號(hào)：ST-PC_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言
詳細(xì)摘要： MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀用于Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試1200V/200A的輸出能力，覆蓋幾乎所有的半導(dǎo)體分立式單管器...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-AC1202_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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