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KRI 考夫曼離子源 RFICP 40

上海伯東代理美國* KRI 考夫曼型

離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). 離子源 RFICP 40 設(shè)計采用創(chuàng)新的柵極技術(shù)用于研發(fā)和開發(fā)應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設(shè)計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業(yè)應用.標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

離子源 RFICP 40 特性:

1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時間更長.

2. 離子源結(jié)構(gòu)模塊化設(shè)計, 使用更簡單; 基座可調(diào)節(jié), 有效優(yōu)化蝕刻率和均勻性.

3. 提供聚焦, 發(fā)散, 平行的離子束

4. 離子源自動調(diào)節(jié)技術(shù)保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行

5. 柵極材質(zhì)鉬和石墨,堅固耐用

6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發(fā)射,確保電荷中性

KRI 考夫曼離子源 RFICP 40 技術(shù)參數(shù)：

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

KRI 考夫曼離子源 RFICP 40 應用領(lǐng)域：

預清洗

表面改性

輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,

濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC

離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD

離子蝕刻 IBE

射頻離子源 RFICP 40,
射頻離子源 RFICP 40

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)

考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

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