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考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

參考價
¥300000-¥1920000
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號
  • 品牌其他品牌
  • 所在地上海市
  • 更新時間2025-10-25
  • 廠商性質代理商
  • 所在地區(qū)上海市
  • 實名認證已認證
  • 產品數量200
  • 人氣值10245
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          另外公司還是美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 德國 普發(fā) Pfeiffer  真空設備, 美國  KRI 考夫曼離子源, 日本  NS 離子蝕刻機, 美國  HVA 真空閥門, 美國  Gel-pak 芯片包裝盒,比利時Europlasma 等離子表面處理機 , 日本  Atonarp過程質譜儀  和  美國 Ambrell 感應加熱設備 等進口品牌的指定代理商 .我們真誠期待與您的合作!



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產地進口 加工定制是
立方氮化硼(cBN)由于具有高超的硬度/ 好的化學惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導率/ 在寬波長范圍內(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導體等特點, 在切削工具/ 耐磨材料/ 光學元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應用潛力.
考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜 產品詳情

立方氮化硼(cBN)由于具有高超的硬度/ 好的化學惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導率/ 在寬波長范圍內(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導體等特點, 在切削工具/ 耐磨材料/ 光學元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應用潛力.

 

在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜.

 

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:

型號

RFICP140

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>600 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

14 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

24.6 cm

直徑

24.6 cm

中和器

LFN 2000

  

該實驗中, 采用的是射頻濺射沉積的方法, 沉積基片為硅片, 熱壓的 hBN 作為靶材, 濺射氣體為 Ar 和N2 的混合氣體.

 

磁控濺射是物理氣相沉積技術中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調節(jié)鍍膜參數, 得到更加致密, 均勻, 結合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環(huán)境保護的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學鍍更加綠色環(huán)保.

 

實驗結果:

采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助濺射沉積立方氮化硼 (cBN) 薄膜時, 具有沉積的膜層顆粒尺寸小/ 薄膜中立方含量高/ 工藝可控性好等特點.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口品牌的代理商.

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生


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