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公司介紹主營產(chǎn)品

位于中國上海浦東外高橋保稅區(qū)的伯東企業(yè)（上海）有限公司創(chuàng)建于1995年12月，, 是日本伯東株式會社獨資設立的外商投資企業(yè)，公司注冊資金為200萬美元，到目前為止公司從業(yè)員工有400多人。
伯東企業(yè)（上海）有限公司真空產(chǎn)品事業(yè)部()專業(yè)銷售及維修德國Pfeiffer單雙級旋片泵，干泵，羅茨泵，分子泵；應用于各種條件下的真空測量(真空計, 真空規(guī)管)；檢漏儀，質(zhì)譜儀，真空系統(tǒng)等等, 維修技術(shù)力量雄厚，保證 100 % 擁有標準的德國Pfeiffer原廠測試設備及調(diào)整工具和德國Pfeiffer專業(yè)培訓工程師，多年來致力于真空系統(tǒng)的安裝、調(diào)試、維修、拆機、保養(yǎng)等，具有優(yōu)良的專業(yè)技能和服務意識，并獲得原廠*維修資質(zhì)證書。利用 Pfeiffer 進口檢測設備對維修后的產(chǎn)品做*性能測試。

另外公司還是美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 德國普發(fā) Pfeiffer 真空設備, 美國 KRI 考夫曼離子源, 日本 NS 離子蝕刻機, 美國 HVA 真空閥門, 美國 Gel-pak 芯片包裝盒,比利時Europlasma 等離子表面處理機 , 日本 Atonarp過程質(zhì)譜儀和美國 Ambrell 感應加熱設備等進口品牌的指定代理商 .我們真誠期待與您的合作!

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產(chǎn)品簡介在線詢價

產(chǎn)地	進口	加工定制	否

上海伯東代理美國* KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件

上海伯東代理 KRI 射頻離子源 RFICP 100 產(chǎn)品詳情

價格電議

KRI 射頻離子源 RFICP 100

上海伯東代理美國* KRI 考夫曼型

離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn) 薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.
射頻離子源 RFICP 100
KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù)

型號	RFICP 100
供電	RF 射頻感應耦合
- 陰極燈絲	-
- 射頻功率	1 KW
電子束	OptiBeam™
- 柵極
-柵極直徑	10 或 12 cm
中和器	LFN 2000
電源控制	RFICP 1510-2-10-LFNA
配置	-
- 陰極中和器	LFN2000 or MHC1000 or RFN
- 安裝	移動或快速法蘭
- 高度	9.25'
- 直徑	7.52'
- 離子束	聚焦平行散設
-加工材料	金屬電介質(zhì) 半導體
-工藝氣體	惰性活性混合
-安裝距離	6-18”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 應用領域

預清洗

表面改性

輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,

濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC

離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD

離子蝕刻 IBE

客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置如下
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 HVA 真空閘閥
德國 Pfeiffer 分子泵 Hipace 2300

射頻離子源 RFICP 100

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)

考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

若您需要進一步了解詳細信息, 歡迎聯(lián)絡上海伯東羅先生

關(guān)鍵詞：標準

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