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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

蘇州探博電子有限公司位于中國(guó)園林之城，人間天堂的蘇州，于2010年在蘇州市注冊(cè)成立，注冊(cè)資金為人民幣2000萬(wàn)元整。公司目前主要業(yè)務(wù)涵蓋新品代理、二手設(shè)備的銷售、租賃、維修和計(jì)量校準(zhǔn)等相關(guān)服務(wù);主營(yíng)產(chǎn)品包括半導(dǎo)體設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化設(shè)備、電子儀器儀表、SMT設(shè)備、環(huán)境試驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備、定制線束、治具等。在公司發(fā)展過(guò)程中，制定并*了嚴(yán)格的品質(zhì)管理體系，技術(shù)服務(wù)體系和售后管理體系，我們始終以融合創(chuàng)新和諧共贏為發(fā)展宗旨，秉承人至上，客的服務(wù)理念，為客戶提供質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。公司目前與電子設(shè)備廠商保持著密切的合作，可提供豐富的產(chǎn)品資源和多樣化的業(yè)務(wù)模式。客戶遍及大陸、日韓，歐美、東南亞等地區(qū).

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

兼顧提高芯片抗彎強(qiáng)度和維持外質(zhì)吸雜（Gettering）功能的磨輪加工對(duì)象:Siliconwafer,etc隨著晶圓的超薄化發(fā)展，存在著降低外質(zhì)吸雜效果的威脅

干式拋光研磨輪產(chǎn)品詳情

兼顧提高芯片抗彎強(qiáng)度和維持外質(zhì)吸雜（Gettering）功能的磨輪

加工對(duì)象: Silicon wafer, etc

隨著晶圓的超薄化發(fā)展，存在著降低外質(zhì)吸雜效果的威脅。Gettering DP采用迪思科的干式拋光工藝，通過(guò)去除內(nèi)部應(yīng)力，即提高了芯片抗彎強(qiáng)度又維持了外質(zhì)吸雜功能。由于干式拋光工藝不使用化學(xué)藥品，在減輕環(huán)境負(fù)荷的同時(shí)，與使用研磨液以及化學(xué)藥品的拋光工藝相比，能夠以更簡(jiǎn)便的操作完成薄片晶圓的研磨。

Gettering DP 的種類

根據(jù)用途，可提供2種類型的GetteringDP 。與標(biāo)準(zhǔn)的GA類型相比，因?yàn)镸Z類型的DP磨輪更能提高晶圓的抗彎強(qiáng)度，所以能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的晶圓拋光加工。但是，MZ類型需要根據(jù)加工物的不同，詳細(xì)選定加工條件，具體本公司的銷售人員。

GA*** type	標(biāo)準(zhǔn)型GetteringDP
MZ*** type	與GA類型相比，提高了抗彎強(qiáng)度，能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的晶圓拋光加工

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

抗彎強(qiáng)度比較（三點(diǎn)式抗彎強(qiáng)度測(cè)量法）

* Finish thickness:　25 µm Process:　DBG （Dicing Before Grinding）

外質(zhì)吸雜效果

于研磨后的鏡面晶圓經(jīng)強(qiáng)制污染后從反面析出的Cu濃度高于1.0E11的結(jié)果相比， Gettering DP研磨后的晶圓從反面析出的Cu濃度卻低于檢出下限值，由此可知Gettering DP面具有外質(zhì)吸雜效果。

Cu強(qiáng)制污染前后的TXRF測(cè)量結(jié)果（Φ8英寸鏡面晶圓）

為了定量測(cè)定外質(zhì)吸雜效果，將經(jīng)過(guò)Cu強(qiáng)制污染的樣本以350 ℃加熱3小時(shí)后，使用TXRF（全反射式X光熒光光譜儀）進(jìn)行分析。以Gettering DP的研磨晶圓為例，研磨面經(jīng)過(guò)Cu強(qiáng)制污染并擴(kuò)散后，使用TXRF分析反面（鏡面）析出的Cu量。

※0.5E10 atoms/cm2以下為檢出極限。

技術(shù)規(guī)格

關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn) 光譜儀

熱門產(chǎn)品

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