關(guān)鍵技術(shù)

● 從小面積到大面積的高靈敏度分析

● 的深度剖析表現(xiàn)

● 自動(dòng)電荷雙束中和技術(shù)

● 自動(dòng)化和遠(yuǎn)程控制，提供靈活的工作環(huán)境

● 多樣化的配置

微聚焦的掃描X射線(xiàn)源

高靈敏度和低噪音能量分析器

● 作為一種重要的表面分析方法，廣泛應(yīng)用于固體材料表面的元素組分和化學(xué)態(tài)的研究，例如電池材料、催化劑、集成電路、半導(dǎo)體、金屬、聚合物、陶瓷和玻璃等，可滿(mǎn)足從研發(fā)到失效分析的廣泛分析需求。

● 采用了新的高靈敏度分析器，靈敏度是上一代的 2 倍，具有更低的檢測(cè)限，能夠?qū)崿F(xiàn)從微區(qū)(<10 µm)到大面積(>1 mm)的高靈敏度化學(xué)態(tài)分析。

● 微聚焦掃描 X 射線(xiàn)和 SXI 影像，通過(guò)類(lèi)似 SEM 的 SXI 影像可以作為樣品導(dǎo)航，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)地定義微區(qū)分析位置。

*SXI : 掃描X射線(xiàn)激發(fā)的二次電子影像

的深度剖析表現(xiàn)

使用微區(qū)XPS分析技術(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確的深度剖析

● VersaProbe 4 的高靈敏度微區(qū)分析和高度可重現(xiàn)的中和性能確保了深度分析的性能。樣品傾斜和樣品旋轉(zhuǎn)相結(jié)合，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)高深度分辨率和高能量精度。

在不同起飛角（TOA）下獲得的 10 nm SiO2/ Si 薄膜的深度剖析結(jié)果

自動(dòng)電荷雙束中和技術(shù)

無(wú)需參數(shù)調(diào)整即可滿(mǎn)足任何絕緣樣品微區(qū)分析的荷電中和需求

● VersaProbe 4 配備了自動(dòng)中和技術(shù)，無(wú)需分別對(duì)每個(gè)待測(cè)樣品進(jìn)行中和參數(shù)調(diào)整。自動(dòng)中和采用低能量電子束和低能量離子束的雙束同時(shí)中和的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)單可靠的高效中和。

● 該技術(shù)適用于中和各種材料，配合操作軟件所提供的圖像配準(zhǔn)功能，可為微區(qū)分析帶來(lái)出色的自動(dòng)化操作體驗(yàn)。對(duì)于無(wú)機(jī)/有機(jī)混合材料以及從微區(qū)到大面積的所有分析尺寸，均可進(jìn)行可靠且自動(dòng)化的檢測(cè)分析。

微區(qū)特征的圖像配準(zhǔn)功能

自動(dòng)化和遠(yuǎn)程控制，提供靈活的工作環(huán)境

遠(yuǎn)程訪(fǎng)問(wèn)實(shí)現(xiàn)對(duì)儀器的遠(yuǎn)程控制

● VersaProbe 4 允許通過(guò)公司的局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)訪(fǎng)問(wèn)儀器。一旦樣品被引入分析室，就可以使用 Intro 照片和 SXI 導(dǎo)航樣品，創(chuàng)建采集任務(wù)的自動(dòng)隊(duì)列，并可遠(yuǎn)程檢查測(cè)量狀態(tài)和分析數(shù)據(jù)。我們的專(zhuān)業(yè)人員可對(duì)儀器進(jìn)行遠(yuǎn)程診斷。

多樣化的配置

● Ar 團(tuán)簇離子槍?zhuān)ˋr-GCIB）

● UPS（紫外光電子能譜）

● LEIPS（低能量反光電子能譜）配件用于 AES 分析的掃描電子槍配件

● 專(zhuān)用 REELS 電子槍

● 可拓展的樣品進(jìn)樣室

● 樣品傳送管

● 冷熱變溫樣品臺(tái)

● 4 觸點(diǎn)冷熱變溫樣品臺(tái)

● 雙陽(yáng)極X射線(xiàn)源

● C60 離子槍

● 樣品預(yù)制備腔室