武漢高溫常規(guī)探針臺(tái)這類型主打基礎(chǔ)高溫環(huán)境測(cè)試的桌上型或小型精密測(cè)試設(shè)備，用于常溫至數(shù)百攝氏度環(huán)境下，對(duì)半導(dǎo)體、材料等進(jìn)行電學(xué)等特性測(cè)量。

武漢高溫常規(guī)探針臺(tái)核心性能

溫度參數(shù)：室溫 - 300℃、500℃、1000℃

溫度分辨率：0.1℃

溫控方式：采用 PID

溫度穩(wěn)定性： ±0.1 - ±0.5℃

配置

樣品臺(tái)常見(jiàn) 4 英寸規(guī)格，支持真空吸附固定，XY 移動(dòng)精度達(dá) 10um，可 360 度旋轉(zhuǎn)微調(diào)；探針多為鎢鋼、錸鎢等耐溫材質(zhì)，探針座通常標(biāo)配 2 - 4 個(gè)，支持 XYZ 軸精密移動(dòng)，移動(dòng)精度可達(dá) 0.5um，適配微小測(cè)點(diǎn)的精準(zhǔn)接觸；部分可升級(jí)至 6 - 8 個(gè)探針滿足多測(cè)點(diǎn)需求。

配備三目體視顯微鏡，倍率多在 16X - 100X，部分可拓展至 400X，搭配高清工業(yè)相機(jī)方便觀測(cè)扎針位置；支持手動(dòng)操作或電腦軟件控制，可記錄溫控曲線，部分機(jī)型帶 SD 卡存儲(chǔ)測(cè)試數(shù)據(jù)功能

應(yīng)用場(chǎng)景

用于晶圓、IGBT、場(chǎng)晶體管等器件的高溫 IV/CV 測(cè)試，驗(yàn)證芯片在高溫工況下的擊穿電壓、漏電流等參數(shù)

測(cè)試金屬、陶瓷、薄膜等材料在高溫下的導(dǎo)電性、熱穩(wěn)定性

適用于新能源電池，評(píng)估充放電效率和內(nèi)阻變化

適配各種大專、高校教學(xué)

我司主打常規(guī)機(jī)型

高性價(jià)比手動(dòng)款，適配 4 英寸及以下晶圓，高溫可達(dá) 500℃，探針座移動(dòng)精度 2.0um，支持直流測(cè)試，可選配射頻、光譜測(cè)試模塊，適合中小規(guī)模企業(yè)常規(guī)測(cè)試。

進(jìn)口桌上型機(jī)型，溫度范圍室溫 - 1000℃，帶真空腔體可充保護(hù)氣體防樣品氧化，默認(rèn) 4 個(gè)外部移動(dòng)探針，支持 SMA 轉(zhuǎn) BNC 接口，適配需要?dú)夥湛刂频某Ｒ?guī)高溫測(cè)試。

支持 DC - 1100GHz 電學(xué)測(cè)量，適配功率 IC、光電芯片的常規(guī)高溫多維度測(cè)試，兼顧大功率與高精度，適配科研與量產(chǎn)質(zhì)檢場(chǎng)景。