詳細(xì)摘要: Booster SWA單片退火系統(tǒng)主要用于12英寸后段金屬互聯(lián)退火工藝。該機(jī)臺(tái)為多腔集群設(shè)備,能夠進(jìn)行全自動(dòng)并行工藝處理。系統(tǒng)主要由傳輸模塊和3個(gè)工藝模塊組成,...
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華兆科技(廣州)有限公司
詳細(xì)摘要: Booster SWA單片退火系統(tǒng)主要用于12英寸后段金屬互聯(lián)退火工藝。該機(jī)臺(tái)為多腔集群設(shè)備,能夠進(jìn)行全自動(dòng)并行工藝處理。系統(tǒng)主要由傳輸模塊和3個(gè)工藝模塊組成,...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: AGF Series電阻式SiC長(zhǎng)晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長(zhǎng),多加熱器設(shè)計(jì)允許靈活的工藝和熱場(chǎng)設(shè)置,下裝載結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)便捷的開裝爐及維護(hù)...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: APS Series感應(yīng)式SiC長(zhǎng)晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長(zhǎng),創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可提供高純材料生長(zhǎng)能力,擁有高精度的控溫、控壓能力,工藝...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: NVT-HG單晶生長(zhǎng)爐主于光伏產(chǎn)業(yè)8-12英寸單晶硅制備工藝,該機(jī)臺(tái)具有大投料量,高拉速,低能耗,自動(dòng)化、智能化的優(yōu)點(diǎn)。能夠進(jìn)行全自動(dòng)并進(jìn)行工藝處理。系統(tǒng)主要由...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: SC3080 12英寸單片清洗設(shè)備可同時(shí)配備多種藥液,主要用于12英寸后段和前段清洗工藝。該機(jī)臺(tái)主要由傳輸模塊、工藝模塊、藥液供給模塊、電源柜等組成,標(biāo)配8個(gè)腔...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: Pinnacle300 12英寸槽式清洗設(shè)備適用于集成電路、功率半導(dǎo)體、襯底材料、硅基微顯示領(lǐng)域的清洗工藝。該機(jī)臺(tái)主要由傳輸模塊、工藝模塊、藥液供給系統(tǒng)、電源柜...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: GAMA Series 6/8英寸全自動(dòng)槽式清洗機(jī)滿足全部濕法工藝需求,覆蓋RCA、PR Strip、Solvent、Wet Etch等應(yīng)用,可用于典型0.35...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: EPEE i200等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉積工藝,平臺(tái)式多反應(yīng)腔架構(gòu),兼容Si、Si...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: HORIC L200臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8英寸及以下晶圓淀積SiN、POLY、SiO?等薄膜,設(shè)備工藝性能好、產(chǎn)能大、可靠性高,可滿足半...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: Esther E320R 8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)主要用于體硅外延、埋層外延、選擇性外延等多種特色工藝的運(yùn)行。該設(shè)備主要由傳輸系統(tǒng)模塊、工藝腔室模塊、壓力控制模...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: NMC 508RIE介質(zhì)刻蝕機(jī)為電容耦合等離子體干法刻蝕機(jī),適用6/8英寸介質(zhì)層刻蝕工藝,具有高刻蝕速率和均勻性,工藝類型覆蓋前道和后道所有介質(zhì)刻蝕。該機(jī)臺(tái)為多...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: NMC 508M金屬刻蝕機(jī)為高密度等離子體刻蝕機(jī),適用6/8英寸金屬干法刻蝕工藝。具備良好的鋁線形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性能優(yōu)勢(shì)。...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: NMC 508CG多晶硅刻蝕機(jī)為高密度等離子體刻蝕機(jī),適用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蝕工藝。具備良好的形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: eVictor PVD Al金屬鋁薄膜物理氣相沉積系統(tǒng),適用于12英寸集成電路領(lǐng)域,是一款PVD設(shè)備。該系統(tǒng)集成高溫去氣、等離子體預(yù)清洗、高溫Al、TaN、TT...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: Polaris Series硅通孔物理氣相沉積系統(tǒng)主要由大氣平臺(tái),真空傳輸平臺(tái),去氣腔室,預(yù)清潔腔室和工藝腔室組成,設(shè)備采用Cluster Tool結(jié)構(gòu),可配置...
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市更新時(shí)間:2026-09-20 在線留言詳細(xì)摘要: eVictor Series 8英寸物理氣相沉積系統(tǒng)主要用于8英寸晶圓金屬薄膜沉積工藝。該機(jī)臺(tái)為多腔室前后雙平臺(tái)結(jié)構(gòu),可支持10個(gè)工藝模塊,能夠進(jìn)行全自動(dòng)工藝處...
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