摘要近年來(lái)IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,那么IGBT的測(cè)試就變的尤為重要了。lGBT的測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測(cè)試等,這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。SiC|IGBT功率器件測(cè)試儀an...

摘要 應(yīng)用范圍A：二極管、毫歐電阻B：IGBT、場(chǎng)效應(yīng)管（Mosfet）、大功率雙極型晶體管（外接基極偏置電流、電壓）C：其他測(cè)試應(yīng)用

摘要 特性描述 1.單電源供電2.TTL/LVTTL驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入，帶施密特觸發(fā)輸入3.電流波形監(jiān)視輸出4.小體積5.板載電流調(diào)節(jié)電位器

摘要 特點(diǎn)1 供電模塊和放電模塊分體；2 鋁基板材質(zhì)，相比較FR4材質(zhì)，散熱提升百倍；3 FPC軟連接，安裝靈活多樣；4 LD供電可調(diào)且數(shù)字顯示；5 LD電流測(cè)試端引出，可進(jìn)行探測(cè)；

摘要產(chǎn)品指標(biāo)1.輸入電壓: 6V DC2.恒流輸出路數(shù)：3路3.恒流輸出電流1：800mA4.恒流輸出電流2：3.5A5.恒流輸出電流3：3.5A6.恒流輸出電壓范圍：0~3 V7.冷卻方式：強(qiáng)制風(fēng)冷8.控制模擬量電壓：3.3V PWM占空比調(diào)節(jié)控制800mA恒流源，2....

摘要 太陽(yáng)能電池在使用前我們需要對(duì)它的一些性能參數(shù)做一個(gè)測(cè)試了解。對(duì)于太陽(yáng)能電池片的測(cè)試，我們一般測(cè)試電池的開(kāi)路電壓VOC、短路電流ISC、最大功率Pmax、填充因子FF、轉(zhuǎn)換效率η。國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表用于光伏測(cè)試系統(tǒng)就找武漢普賽斯儀表

摘要 使用 4200A-SCS參數(shù)分析儀（參數(shù)測(cè)試儀）加快各類材料、半導(dǎo)體器件和好工藝的開(kāi)發(fā)，完成制程控制、可靠性分析和故障分析。

摘要 707B 708B半導(dǎo)體器件的高速和低電流要求高質(zhì)量、高性能的 I-V 和 C-V 信號(hào)開(kāi)關(guān)。 我們?yōu)榘雽?dǎo)體研發(fā)和生產(chǎn)測(cè)試應(yīng)用提供開(kāi)關(guān)解決方案，其中主機(jī)可以支持多達(dá) 2,880 個(gè)通道以及專為半導(dǎo)體應(yīng)用而設(shè)計(jì)的一系列矩陣卡。

摘要主要特點(diǎn)A：電腦設(shè)定二極管正向電流，范圍0-30A，步進(jìn)0.1AB：二極管反向電流輸出值≥100AC：電腦設(shè)定二極管反向電壓，范圍Vr=10-1000V，步進(jìn)1VD：PID閉環(huán)控制di/dt輸出，范圍100-1000A/uSE：電腦波形分析軟件可讀出二極管的7項(xiàng)指標(biāo)F...

摘要 主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管 B：二極管反向電流峰值≥100AC：二極管正向電流≥50AD：二極管反向電壓分檔設(shè)定Vr=0-100/0-400VE：二極管接反、短路開(kāi)路保護(hù)F：示波器圖形顯示G：EMI/RFI屏蔽密封H：同步觸發(fā)輸出端

摘要 脈沖特性測(cè)試IV掃描數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，P系列數(shù)字源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)30A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中

摘要主要特點(diǎn)A：超快脈沖沿：電流上升下降時(shí)間小于2ns B：大電流：0-3A連續(xù)可調(diào)C：高重頻：0-500kHz，步進(jìn)0.1HzD：可變脈寬：5ns-1000ns，步進(jìn)5nsE：內(nèi)部自帶信號(hào)源F：RS-232串口通訊，+12V單路供電G：自帶一路PID溫控H：溫控失效可...

摘要特性描述 TEC-10A是一款高功率密度的TEC溫度控制器，額定工作負(fù)載5A，峰值電流可達(dá)10A。此溫度控制器可以連接專用調(diào)試器來(lái)進(jìn)行參數(shù)的調(diào)節(jié)，參數(shù)調(diào)節(jié)完畢并保存后，撤去調(diào)試器，此溫度控制器仍可以獨(dú)立工作。可以通過(guò)專用RS232調(diào)試線和電腦進(jìn)行通訊，以進(jìn)行參數(shù)設(shè)置和...

摘要 功能描述1 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且容易實(shí)現(xiàn)大電流輸出；2 模塊化設(shè)計(jì)且具有程控功能；3 調(diào)制速度快，上升沿約4~8uS，下降沿3~6uS；4 輔助電源8V，可定制輸出使用；5 底部散熱，安裝方便；6 底部孔固定，簡(jiǎn)單方便；

摘要 應(yīng)用案例A：低頻LD泵浦的電光調(diào)Q激光器E：美容機(jī)B：燈泵調(diào)Q固體激光器F：脈沖激光測(cè)距機(jī)C：KD*P G：激光手術(shù)儀D：LiNbO3 H：科學(xué)研究

摘要 應(yīng)用范圍(驅(qū)動(dòng)“普克爾斯盒”)A：KD*P B：LiNbO3 C：其它

摘要 A：測(cè)量多種二極管 B：二極管反向電流峰值100A（定制）C：二極管正向電流30A（定制） D：測(cè)量精度5nSE：二極管接反、短路開(kāi)路保護(hù)F：示波器圖形顯示G：EMI/RFI屏蔽密封H：同步觸發(fā)端

摘要 一：應(yīng)用范圍A: 高壓二極管反向耐壓測(cè)試B: 普通二極管反向漏電流C: 高壓電容耐壓測(cè)試D: 玻璃釉電阻非線性性能測(cè)試E:氙燈擊穿電壓測(cè)試F: 材料耐壓測(cè)試

摘要 應(yīng)用范圍 (驅(qū)動(dòng)“普克爾斯盒”)A：KDP B：LiNbO3 C：其它

摘要二、技術(shù)參數(shù)1.脈沖電流調(diào)節(jié)范圍：0A~80A 2.脈沖寬度： 300us3.開(kāi)路輸出電壓：15V4.正向壓降測(cè)量范圍：0~5V@40A ;0~2V@80A5.正向壓降測(cè)量精度：≤1％6.供電電壓：AC220V±10％，50Hz7.消耗功率：≤185W8.工...

摘要1 兩路獨(dú)立的串口，可同時(shí)手動(dòng)和串口指令設(shè)定PID和溫度；2 一拖二結(jié)構(gòu)，一個(gè)調(diào)試器控制兩個(gè)控溫模塊單元；3 精準(zhǔn)控制溫度，用戶可自行修正PT1000溫度電阻偏差；4 工作電壓范圍廣，可以工作在9~16V范圍內(nèi)；5 ARM處理器，軟件功能*，可強(qiáng)制輸出設(shè)定的功率大小，...

摘要 武漢普賽斯PL202型恒流脈沖電源us級(jí)脈沖電流源超窄至1us的脈寬,大到30A的脈沖電流,兼容CW和QCW模式,豐富的軟件接口，可廣泛用于LD脈沖電流、脈沖電壓、PD光電流、背光二極管暗電流測(cè)試；

摘要傳統(tǒng)的二線制電阻測(cè)量方式容易引入附加誤差，降低MEMS芯片控溫的精準(zhǔn)度。材料測(cè)試所能承受的電流超小，低至nA甚至pA，測(cè)試設(shè)備需要具備小電流的測(cè)量能力。武漢普賽斯數(shù)字源表具有測(cè)試精度高，微弱信號(hào)檢測(cè)能力強(qiáng)的特點(diǎn)，可夠根據(jù)用戶測(cè)試需求配置高效，高性價(jià)比的納米材料測(cè)試方案...

摘要WD4000晶圓厚度翹曲度測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。它采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR...

摘要 武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)Z早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)已經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面有近500臺(tái)源表在使用，市場(chǎng)率高；高精度臺(tái)式源and電流源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要PMST系列SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)，精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.BJT、 ...

摘要 普賽斯電容電壓特性CV曲線測(cè)試儀主要由源表、LCR 表、矩陣開(kāi)關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)矩陣開(kāi)關(guān)加載在待測(cè)件上。半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要 SENresearch 4.0 是 SENTECH 新的光譜橢偏儀。每一臺(tái) SENresearch 4.0 光譜橢偏儀都是根據(jù)客戶具體配置的光譜范圍、選項(xiàng)和現(xiàn)場(chǎng)可升級(jí)附件而制造的。

摘要 光譜橢偏儀 SENpro 具有操作簡(jiǎn)單，測(cè)量速度快，能對(duì)不同入射角的橢偏測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行組合分析等特點(diǎn)。光譜范圍為 370 到 1050 nm。SENpro 的光譜范圍與精密的 SpectraRay/4 軟件相結(jié)合，可輕易地確定單層膜和復(fù)合層疊膜的厚度和折射率。

摘要 激光橢偏儀 SE 400adv 測(cè)量透明薄膜的厚度和折射率指數(shù)，具有測(cè)量速度、亞埃級(jí)別的厚度精度和折射率測(cè)定的精度。多角度測(cè)量允許使用激光橢偏儀 SE 400adv 表征吸收膜特征。

摘要 RM1000 和 RM2000 代表 SENTECH 反射儀。臺(tái)式裝置包括高度穩(wěn)定的光源、具有自動(dòng)準(zhǔn)直透鏡和顯微鏡的反射光學(xué)部件、高度和傾斜可調(diào)的樣品臺(tái)、光譜光度計(jì)和電源。它可以選配 x-y 自動(dòng)掃描臺(tái)和自動(dòng)掃描軟件、用于小光斑尺寸的物鏡和攝像機(jī)。

摘要高分辨率X射線衍射儀，主要用途為測(cè)量 Si, Ge, SiC, GaN, InGaN, AlGaN, GaAs, InP, AlN, GaSb 等化合半導(dǎo)體材料的單晶和外延層材料的結(jié)晶完整性，外延層及相應(yīng)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的組分、厚度、弛豫度等參數(shù)的測(cè)定，外延結(jié)構(gòu)的晶格失...

摘要 2830 ZT 波長(zhǎng)色散 X 射線熒光 (WDXRF) 晶圓分析儀提供了用于測(cè)量薄膜厚度和成分的功能。 2830 ZT 晶圓分析儀專門針對(duì)半導(dǎo)體和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)而設(shè)計(jì)，該儀器可為多種晶片（厚達(dá) 300 mm）測(cè)定層結(jié)構(gòu)、厚度、摻雜度和表面均勻性。

摘要 Camtek為半導(dǎo)體行業(yè)提供廣泛的檢測(cè)和量測(cè)解決方案。Camtek的檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備能夠在高產(chǎn)量下可靠地檢測(cè)出有缺陷的IC，確保只有已知良好的芯片才能最終交付給客戶的產(chǎn)品。

摘要PHI Quantera II 掃描XPS探針是 ULVAC-PHI 公司新研發(fā)的XPS分析儀器，是在 Quantum 2000 和 Quantera SXM 的基礎(chǔ)上延伸出來(lái)的，其革命性技術(shù)包括有：聚焦掃描X射線源，的雙束中和技術(shù)，在非常低的電壓下仍可保持高性能的離...

摘要 PHI 4700 以 AES 分析技術(shù)為基礎(chǔ)，搭配高靈敏度的半球型能量分析器、 10 kV LaB6 掃描式電子槍、5 kV 浮動(dòng)柱狀式Ar離子槍及高精密度的自動(dòng)樣品臺(tái)，可對(duì)樣品進(jìn)行俄歇縱深分析、微區(qū)域的失效分析，提供全自動(dòng)與高效率的解決方法。

摘要PHI Quantes 雙掃描 XPS 探針是以 Quantera II 系統(tǒng)為基礎(chǔ)，進(jìn)行技術(shù)升級(jí)后得到的新版本。PHI Quantes 的主要特點(diǎn)，是擁有同焦 Al Ka 和 Cr Ka 的雙掃描X射線源；相比常規(guī)的 Al Ka X射線源，能量高達(dá) 5.4 KeV ...

摘要 PHI 710 掃描俄歇納米探針是一臺(tái)高性能的俄歇電子能譜（AES）儀器。該設(shè)備能分析納米級(jí)特征區(qū)域，超薄薄膜和多層結(jié)構(gòu)材料表界面的元素態(tài)和化學(xué)態(tài)信息。作為高空間分辨率，高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀，PHI 710 可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。

摘要 LUXET THERMO 100 是一款全國(guó)產(chǎn)化的鎖相紅外顯微成像系統(tǒng)。配備了全自動(dòng)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)、高靈敏度制冷型中波紅外相機(jī)、廣角鏡頭與大倍率顯微鏡頭、高壓源表，可以適用于晶圓、電路板等多種不同種類器件的失效點(diǎn)定位。

摘要 LUXET THERMO 50 是一款基于非制冷紅外相機(jī)的鎖相紅外顯微成像系統(tǒng)。配備了電動(dòng)垂直運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)、高幀頻長(zhǎng)波紅外相機(jī)、廣角鏡頭與顯微鏡頭、高壓源表，可以適用于封裝器件、電路板等多種不同種類器件的失效點(diǎn)定位。

摘要 Strain Viewer 內(nèi)應(yīng)力檢測(cè)儀具備透光材料內(nèi)應(yīng)力分布測(cè)量及缺陷篩查等檢測(cè)功能。

摘要PHI X-tool 是 PHI XPS 系列產(chǎn)品中的新成員。（同時(shí)結(jié)合了PHI Quantera-II 和PHI VersaProbe-III的功能）PHI X-tool 設(shè)計(jì)的主要目的在于降低對(duì)操作人員個(gè)人經(jīng)驗(yàn)的要求，操作人員可觸屏操作，就可完成自動(dòng)進(jìn)樣、自動(dòng)檢測(cè)...

摘要 一：應(yīng)用范圍A: 程控高壓/恒壓恒流輸出B: 電器設(shè)備的絕緣耐壓測(cè)試 C: 高壓半導(dǎo)體器件耐壓測(cè)試D: 高壓電阻測(cè)量

摘要 WD4000晶圓多維度特征檢測(cè)設(shè)備系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。可實(shí)現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測(cè)。

摘要SPA-6100半導(dǎo)體曲線圖示儀iv+cv測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加...