- 設(shè)備特點
-
- 多頻CCP模式,工藝窗口大
- 高刻蝕速率和高刻蝕均勻性
- 低擁有成本、低運營成本
- 產(chǎn)品應(yīng)用
-
- 晶圓尺寸6/8 英寸兼容
- 適用材料氧化硅、氮化硅、氮氧化硅
- 適應(yīng)工藝鈍化層、硬掩膜、接觸孔、導(dǎo)線孔、側(cè)襯、自對準(zhǔn)、回刻等刻蝕
- 適用領(lǐng)域集成電路、化合物半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體、科研領(lǐng)域




































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