管式等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
HORISP12管式等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISP12PECVDSystemHORISP12PECVD系統(tǒng)主要用于156mm及以上的光伏電池的鍍膜工...
管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
HORISL12管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISL12LPCVDSystemHORISL12系列管式LPCVD主要用于156mm及以上的TOPCon光伏高效電...
臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
HORICL200臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)HORICL200LPCVDSystemHORICL200LPCVD系統(tǒng)，主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8英寸及以下晶圓淀積SiN...
碳化硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
MARSiCE115碳化硅外延系統(tǒng)MARSiCE115SiCEpitaxySystemMARSiCE115主要用于4、6英寸SiC外延工藝
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
EPEE550等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEE550PECVDSystemEPEE550系列主要用于2~8英寸SiO?、SiN?、SiON等介質(zhì)薄膜沉積工藝...
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
EPEEi800等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEEi800PECVDSystemEPEEi800系列主要用于6英寸及以下氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介質(zhì)薄膜沉積...
8英寸多片硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SESSeries8英寸多片硅外延系統(tǒng)SESSeries8InchBatchWaferSiliconEpitaxySystemSES系列硅外延系統(tǒng)為單腔多片式硅...
8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
ErisE120A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)ErisE120A8InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEpitaxyS...
8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
EstherE320A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)EstherE320A8InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEpit...
12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
HesperE230A12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)HesperE230A12InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEp...
8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
ErisE120R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)ErisE120R8InchSingleWaferReducedPressureSiliconEpitaxySyste...
8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
EstherE320R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)EstherE320R8InchSingleWaferReducedPressureSiliconEpitaxyS...
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
EPEEi200等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEEi200PECVDSystemEPEEi200系列主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
