擴(kuò)散系統(tǒng) 參考價(jià):面議
HORISD12擴(kuò)散系統(tǒng)HORISD12DiffustemHORISD12擴(kuò)散系統(tǒng)主要應(yīng)用于晶硅電池制作過(guò)程中的硼/磷摻雜、氧化、退火等工藝,該設(shè)備為多管臥式爐...擴(kuò)散/氧化系統(tǒng) 參考價(jià):面議
HORICD200擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)HORICD200Diffusion/OxidattemHORICD200擴(kuò)散爐,主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8寸及以下晶圓做擴(kuò)散、氧化、...SiC高溫氧化爐 參考價(jià):面議
VERICO6151ASiC高溫氧化爐VERICO6151ASiCHigh-TempOxidatorFurnaceVERICO6151ASiC高溫氧化爐具有無(wú)金...SiC高溫退火爐 參考價(jià):面議
VERICA6151ASiC高溫退火爐VERICA6151ASiCHigh-TempAnnealFurnaceVERICA6151ASiC高溫退火爐具有無(wú)金屬、...8/12英寸封裝立式PI固化爐 參考價(jià):面議
SUMERISAP302C8/12英寸封裝立式PI固化爐SUMERISAP302C8/12InchAPVerticalPolyimideCureFurnaceS...單片退火系統(tǒng) 參考價(jià):面議
BoosterSWA單片退火系統(tǒng)BoosterSWASingleWaferAnnealSystemBoosterSWA主要用于12英寸后段金屬互聯(lián)退火工藝8英寸立式高溫氧化爐 參考價(jià):面議
FLOURISX201H8英寸立式高溫氧化爐FLOURISX201H8InchVerticalHigh-TempOxidationFurnaceFLOURISX...8英寸立式中溫氧化爐 參考價(jià):面議
FLOURISX201P8英寸立式中溫氧化爐FLOURISX201P8InchVerticalMid-TempOxidationFurnaceFLOURISX2...8英寸立式低溫退火爐 參考價(jià):面議
FLOURISA2018英寸立式低溫退火爐FLOURISA2018InchVerticalLow-TempAnnealFurnaceFLOURISA201主要用...12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐 參考價(jià):面議
TENESISX308P12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐TENESISX308P12InchVerticalLargeBatchMid-TempOxidationF...12英寸立式中溫氧化爐 參考價(jià):面議
THEORISX302P12英寸立式中溫氧化爐THEORISX302P12InchVerticalMid-TempOxidationFurnaceTHEORIS...12英寸立式高溫氧化爐 參考價(jià):面議
THEORISX302H12英寸立式高溫氧化爐THEORISX302H12InchVerticalHigh-TempOxidationFurnaceTHEORI...12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐 參考價(jià):面議
THEORISSN302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐THEORISSN302D12InchVerticalLPCVDSiNFurnaceTHEORIS...12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐 參考價(jià):面議
THEORISPY302U12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐THEORISPY302U12InchVerticalLPCVDUndopedPolyFur...12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐 參考價(jià):面議
THEORISHO302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐THEORISHO302D12InchVerticalLPCVDHTOFurnaceTHEOR...12英寸立式PI固化爐 參考價(jià):面議
THEORISA302C12英寸立式PI固化爐THEORISA302C12InchVerticalPolyimideCureFurnaceTHEORISA302...12英寸立式低溫退火爐 參考價(jià):面議
THEORISA30212英寸立式低溫退火爐THEORISA30212Inch VerticalLow-TempAnnealFurnaceTHEORISA302...12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng) 參考價(jià):面議
HesperTO230R12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)HesperTO230R12InchSingleWaferReducedPressureInSituSt...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)