托托科技無掩模紫外光刻機(jī)產(chǎn)品介紹

在微納科研實(shí)驗(yàn)中，傳統(tǒng)光刻需要制備實(shí)體掩模版，設(shè)計修改就要重新制版，帶來周期長、成本高的問題，制約科研迭代效率。

托托科技無掩模紫外光刻機(jī)，采用數(shù)字化直寫曝光方案，無需制作物理掩模版，將數(shù)字圖形直接轉(zhuǎn)為微納結(jié)構(gòu)。設(shè)備可適配硅片、氧化硅、石英、藍(lán)寶石、砷化鎵、氮化鎵等半導(dǎo)體襯底，同時支持柔性襯底與多種新型功能材料，助力科研項目快速迭代驗(yàn)證。

設(shè)備已被多家科研機(jī)構(gòu)使用，支撐產(chǎn)出多篇高水平學(xué)術(shù)論文，覆蓋二維材料電子、光電探測、神經(jīng)形態(tài)硬件、新型存儲邏輯器件、異質(zhì)集成等多個研究方向，部分代表性應(yīng)用場景如下：

二維材料與納米電子學(xué) 設(shè)備用于制備 SiO?模具、器件電極結(jié)構(gòu)。例如有團(tuán)隊依托該設(shè)備完成晶圓級二維材料壓印工藝的模具制備，實(shí)現(xiàn)二維材料大面積高保真圖案化；也有科研單位借助設(shè)備加工碳納米管晶體管關(guān)鍵電極，降低器件接觸電阻，推進(jìn)碳基集成電路工藝研究。

光電探測與成像器件研發(fā) 面向?qū)捵V、柔性光電探測器研發(fā)需求，完成高精度電極圖形化加工。相關(guān)研究包含 SnTe 薄膜超寬帶非線性霍爾整流器件、長波紅外柔性二維材料探測器，設(shè)備加工的電極結(jié)構(gòu)為器件實(shí)現(xiàn)探測性能提供工藝支撐。

神經(jīng)形態(tài)計算與 AI 硬件 針對結(jié)構(gòu)復(fù)雜、迭代頻繁的神經(jīng)形態(tài)器件，完成電極圖案化制備。相關(guān)項目實(shí)現(xiàn)視覺突觸晶體管、深紫外可編程非易失存儲器等器件加工，支撐低功耗人工視覺、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計算硬件的研發(fā)工作。

新型存儲器與邏輯器件原型開發(fā) 用于自旋邏輯器件、ReS?憶阻器陣列等新型器件的微納結(jié)構(gòu)制備，完成器件原型快速試制與多輪迭代，支撐存算一體等新型硬件方案驗(yàn)證。

異質(zhì)集成與界面工程研究 在二維異質(zhì)結(jié)、高 κ 介質(zhì)集成器件的研究中，完成金屬?絕緣體?金屬電容、晶體管電極等結(jié)構(gòu)圖形化，實(shí)現(xiàn)多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)的精密加工，助力后摩爾時代新型器件開發(fā)。

設(shè)備核心技術(shù)優(yōu)勢

免去掩模版，縮短迭代周期 支持 GDS、DXF/DWG 等通用設(shè)計文件直接導(dǎo)入曝光，不需要制備實(shí)體掩模。設(shè)計修改后可快速開展實(shí)驗(yàn)，將迭代周期由月級壓縮至天甚至小時級別，適合研發(fā)階段高頻次方案調(diào)整。

高分辨率，圖形均勻性良好 設(shè)備最小可實(shí)現(xiàn) 0.4?μm 加工特征尺寸；整場曝光均勻性表現(xiàn)良好，可實(shí)現(xiàn)光柵、光子晶體、微電極陣列等復(fù)雜微納結(jié)構(gòu)的圖形復(fù)刻，保障加工圖形和設(shè)計文件的一致性。

襯底兼容性廣泛 兼容硅基、氧化物、第三代半導(dǎo)體、玻璃石英以及各類柔性襯底，適配新材料、新器件探索過程中多樣的樣品基底需求。

托托科技無掩模紫外光刻機(jī)適合高校、科研院所、企業(yè)研發(fā)部門，用于二維材料器件、光電芯片、MEMS、神經(jīng)形態(tài)硬件、異質(zhì)集成器件等方向的科研試制與原型驗(yàn)證。