在先進(jìn)半導(dǎo)體與LED器件的研發(fā)及量產(chǎn)環(huán)節(jié)，刻蝕形貌、薄膜臺(tái)階的三維測(cè)量是質(zhì)量管控的核心依據(jù)。中圖儀器SuperViewW1系列白光干涉儀0.07μm超薄臺(tái)階檢測(cè)，深度適配LED刻蝕表面三維測(cè)量、超薄介質(zhì)膜檢測(cè)、微孔陣列批量統(tǒng)計(jì)等核心場(chǎng)景，從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)驗(yàn)證到車(chē)間產(chǎn)線抽檢，均能穩(wěn)定輸出高置信度數(shù)據(jù)。

針對(duì)樣件表面高反光介質(zhì)層與低反光刻蝕底材共存的復(fù)雜情況，設(shè)備搭載EPSI復(fù)合掃描算法，單次掃描即可同步完成高低反射率區(qū)域成像，無(wú)需人工反復(fù)調(diào)節(jié)光源參數(shù)；內(nèi)置千赫茲級(jí)環(huán)境噪聲監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，配合閉環(huán)伺服補(bǔ)償算法，可有效屏蔽車(chē)間機(jī)械振動(dòng)、溫濕度波動(dòng)帶來(lái)的納米級(jí)臺(tái)階高度環(huán)境漂移，無(wú)需依賴(lài)昂貴的外部氣浮減振臺(tái)，在真實(shí)工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)即可維持實(shí)驗(yàn)室級(jí)測(cè)量精度。

無(wú)論是0.07μm超薄臺(tái)階的精細(xì)表征，還是122μm大孔徑陣列的批量檢測(cè)，該設(shè)備都能提供穩(wěn)定的三維形貌數(shù)據(jù)支撐，助力企業(yè)加速工藝參數(shù)迭代，縮減研發(fā)與檢測(cè)工時(shí)。

LED晶圓刻蝕檢測(cè)實(shí)測(cè)案例

某光電企業(yè)在LED刻蝕工藝研發(fā)中，長(zhǎng)期面臨兩大檢測(cè)難題：一是刻蝕樣件表面高反光薄膜與低反光孔底反差大，傳統(tǒng)設(shè)備需反復(fù)調(diào)光且成像不全；二是車(chē)間環(huán)境振動(dòng)導(dǎo)致納米級(jí)臺(tái)階高度數(shù)據(jù)漂移，工藝迭代缺乏穩(wěn)定數(shù)據(jù)支撐。

引入中圖儀器SuperViewW1系列白光干涉儀0.07μm超薄臺(tái)階檢測(cè)后，通過(guò)EPSI復(fù)合掃描算法，單次掃描即可同時(shí)清晰呈現(xiàn)超薄介質(zhì)膜與刻蝕孔洞的3D形貌，0.2μm的微小膜層落差可精準(zhǔn)捕捉，陣列離散度極低；內(nèi)置的環(huán)境噪聲檢測(cè)與補(bǔ)償系統(tǒng)，在車(chē)間常規(guī)振動(dòng)環(huán)境下，依然能維持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定性，解決基線漂移問(wèn)題。

實(shí)測(cè)覆蓋0.07μm超薄臺(tái)階至122μm大孔徑全尺度微結(jié)構(gòu)，檢測(cè)效率提升顯著，無(wú)需人工反復(fù)調(diào)試，為該企業(yè)的刻蝕工藝參數(shù)迭代提供了可靠的測(cè)量支撐。

注：產(chǎn)品參數(shù)與服務(wù)可能根據(jù)技術(shù)升級(jí)實(shí)時(shí)更新，具體以新標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)，詳情可咨詢(xún)客服獲取完整資料。