基于此，研究團隊融合了光泵浦太赫茲探測技術(shù)與太赫茲發(fā)射光譜技術(shù), 利用垂直方向亞皮秒瞬態(tài)光電流作為輻射源產(chǎn)生太赫茲波的物理原理，即，成功實現(xiàn)了對BA2MAn-1PbnIn+1 準二維鈣鈦礦薄膜中垂直方向瞬態(tài)電流的原位、超快探測。本研究通過選擇性激發(fā)特定n相的低維鈣鈦礦，清晰區(qū)分并量化了垂直方向上源于載流子濃度梯度的光生丹倍電流與界面電荷轉(zhuǎn)移的相間傳輸電流，揭示了二者的競爭關(guān)系。同時，利用太赫茲光譜研究發(fā)現(xiàn)，薄膜中垂直方向的[PbI6]4-無機傳輸通道與相對有序的晶體取向，是使其載流子遷移率較無序樣品提升2倍的直接原因，揭示了結(jié)晶質(zhì)量與垂直光電流傳輸效率的直接聯(lián)系。該成果為高效、穩(wěn)定的新型鈣鈦礦光電器件中相分布與界面?zhèn)鬏斖ǖ赖脑O(shè)計與調(diào)控提供了物理依據(jù)和太赫茲原位表征工具。