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摘要清華大學(xué)深圳國際研究生院李星輝課題組提出融合絕對(duì)編碼的混合光柵方案,在同一基底上集成反射式增量編碼區(qū)域與透射式絕對(duì)編碼區(qū)域,以實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)精度的絕對(duì)式測(cè)量。

  【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】隨著半導(dǎo)體制造、精密光學(xué)加工及大型光學(xué)系統(tǒng)的發(fā)展,納米級(jí)定位技術(shù)已成為現(xiàn)代工業(yè)與科研中的關(guān)鍵技術(shù)。光柵干涉測(cè)量因其高分辨率、多自由度和結(jié)構(gòu)緊湊等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于高精度位移測(cè)量領(lǐng)域。然而傳統(tǒng)增量式光柵雖具高精度,卻缺乏絕對(duì)位置標(biāo)記,限制了其在動(dòng)態(tài)運(yùn)行和長期測(cè)量中的穩(wěn)定性。
 
  為此,清華大學(xué)深圳國際研究生院李星輝課題組提出融合絕對(duì)編碼的混合光柵方案,在同一基底上集成反射式增量編碼區(qū)域與透射式絕對(duì)編碼區(qū)域,以實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)精度的絕對(duì)式測(cè)量。
 
  為應(yīng)對(duì)混合光柵在結(jié)構(gòu)尺度上跨越納米級(jí)(~500nm)至毫米級(jí)(~1.5mm)線寬的加工需求,研究團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種的混合光刻策略。該策略以掩模光刻和干涉光刻為核心,通過多步曝光流程,在同一基底上構(gòu)建周期性納米結(jié)構(gòu)與非周期性微米圖案,實(shí)現(xiàn)了跨三個(gè)數(shù)量級(jí)尺度結(jié)構(gòu)的高精度共層制造。
 
  研究團(tuán)隊(duì)構(gòu)建了可多自由度調(diào)節(jié)的干涉曝光系統(tǒng),集成了雙光束干涉曝光及高精度條紋鎖定系統(tǒng),通過動(dòng)態(tài)的相位鎖定,實(shí)現(xiàn)區(qū)域內(nèi)的高一致性圖案加工。為確??绯叨冉Y(jié)構(gòu)加工過程中不同圖案區(qū)域的方向一致性,研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了具備對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模版,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在干涉光路中產(chǎn)生衍射參考條紋,通過相機(jī)記錄,并依據(jù)參考條紋的狀態(tài)判斷曝光干涉條紋的方向,通過光路中的高精度調(diào)節(jié)系統(tǒng)對(duì)曝光干涉場(chǎng)的狀態(tài)進(jìn)行反饋控制。此外,研究還設(shè)計(jì)了差異化區(qū)域加工策略,通過選擇性沉積與刻蝕工藝,分別實(shí)現(xiàn)反射型周期結(jié)構(gòu)與透射型非周期結(jié)構(gòu)的功能分區(qū),為構(gòu)建復(fù)雜多功能光學(xué)編碼器件提供了工藝基礎(chǔ)。
 
  研究團(tuán)隊(duì)對(duì)加工樣品進(jìn)行了系統(tǒng)的表征與測(cè)試。在實(shí)驗(yàn)樣品中,納米級(jí)線寬的周期性結(jié)構(gòu)具有長達(dá)11mm的連續(xù)區(qū)域。通過對(duì)多個(gè)區(qū)域進(jìn)行原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量,結(jié)果顯示微結(jié)構(gòu)尺寸高度一致,充分驗(yàn)證了干涉光刻在大尺寸范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高一致性微納結(jié)構(gòu)制備方面的顯著優(yōu)勢(shì)。將該樣品集成于干涉測(cè)量系統(tǒng)后,實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)了在3000μm范圍內(nèi)優(yōu)于1nm的位移分辨率與±0.4?nm的測(cè)量重復(fù)性,同時(shí)具備絕對(duì)定位能力,展現(xiàn)出優(yōu)異的測(cè)量性能。
 
圖1.混合光柵的設(shè)計(jì)原則和定位原理
 
圖2.混合光柵的加工流程
 
圖3.混合光柵的表征
 
  研究提出的混合光刻策略在工藝通用性、圖案可擴(kuò)展性與系統(tǒng)集成度等方面均表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),為復(fù)雜光學(xué)元件的高精度制造提供了有效路徑,具有良好的工程應(yīng)用前景和重要的研究價(jià)值。
 
  研究成果以“納米級(jí)定位跨尺度結(jié)構(gòu)混合光刻加工”(Cross-Scale Structures Fabrication via Hybrid Lithography for Nanolevel Positioning)為題,于8月26日發(fā)表于《微系統(tǒng)與納米工程》(Microsystems & Nanoengineering)。
 
  清華大學(xué)深圳國際研究生院2023級(jí)博士生李婧雯為論文第一作者,清華大學(xué)深圳國際研究生院副教授李星輝為論文通訊作者。合作者包括清華大學(xué)深圳國際研究生院2021級(jí)博士生汪盛通。研究得到國家自然科學(xué)基金與深圳市高等院校穩(wěn)定支持計(jì)劃等的資助。

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