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首頁>>北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司>>產(chǎn)品展示>>半導(dǎo)體裝備

  • 8英寸立式低溫退火爐 參考價：面議

    FLOURISA2018英寸立式低溫退火爐FLOURISA2018InchVerticalLow-TempAnnealFurnaceFLOURISA201主要用...
    型號： FLOURIS A... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:29:34146

  • 12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐 參考價：面議

    TENESISX308P12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐TENESISX308P12InchVerticalLargeBatchMid-TempOxidationF...
    型號： TENESIS X... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:28:14129

  • 12英寸立式中溫氧化爐 參考價：面議

    THEORISX302P12英寸立式中溫氧化爐THEORISX302P12InchVerticalMid-TempOxidationFurnaceTHEORIS...
    型號： THEORIS X... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:26:46181

  • 12英寸立式高溫氧化爐 參考價：面議

    THEORISX302H12英寸立式高溫氧化爐THEORISX302H12InchVerticalHigh-TempOxidationFurnaceTHEORI...
    型號： THEORIS X... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:25:26125

  • 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐 參考價：面議

    THEORISSN302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐THEORISSN302D12InchVerticalLPCVDSiNFurnaceTHEORIS...
    型號： THEORIS S... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:23:55124

  • 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐 參考價：面議

    THEORISPY302U12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐THEORISPY302U12InchVerticalLPCVDUndopedPolyFur...
    型號： THEORIS P... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:22:35127

  • 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐 參考價：面議

    THEORISHO302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐THEORISHO302D12InchVerticalLPCVDHTOFurnaceTHEOR...
    型號： THEORIS H... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:21:17128

  • 12英寸立式PI固化爐 參考價：面議

    THEORISA302C12英寸立式PI固化爐THEORISA302C12InchVerticalPolyimideCureFurnaceTHEORISA302...
    型號： THEORIS A... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:19:38127

  • 12英寸立式低溫退火爐 參考價：面議

    THEORISA30212英寸立式低溫退火爐THEORISA30212Inch VerticalLow-TempAnnealFurnaceTHEORISA302...
    型號： THEORIS A... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:18:12126

  • 12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng) 參考價：面議

    HesperTO230R12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)HesperTO230R12InchSingleWaferReducedPressureInSituSt...
    型號： Hesper TO... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:17:00105

  • 單晶生長爐 參考價：面議

    NVT-HG單晶生長爐NVT-HGSingleCrystalGrowingFurnaceNVT-HG系列單晶生長爐主于光伏產(chǎn)業(yè)8-12英寸單晶硅制備工藝，該機(jī)臺...
    型號： NVT-HG 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:15:40164

  • 感應(yīng)式SiC長晶爐 參考價：面議

    APSSeries感應(yīng)式SiC長晶爐APSSeriesInductionSiCCrystalGrowingFurnaceAPS系列長晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高...
    型號： APS Serie... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:14:24186

  • 管式等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價：面議

    HORISP12管式等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISP12PECVDSystemHORISP12PECVD系統(tǒng)主要用于156mm及以上的光伏電池的鍍膜工...
    型號： HORIS P12 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:12:39182

  • 管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價：面議

    HORISL12管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISL12LPCVDSystemHORISL12系列管式LPCVD主要用于156mm及以上的TOPCon光伏高效電...
    型號： HORIS L12 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:11:18232

  • 臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議

    HORICL200臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)HORICL200LPCVDSystemHORICL200LPCVD系統(tǒng)，主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8英寸及以下晶圓淀積SiN...
    型號： HORIC L20... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:10:01223

  • 碳化硅外延系統(tǒng) 參考價：面議

    MARSiCE115碳化硅外延系統(tǒng)MARSiCE115SiCEpitaxySystemMARSiCE115主要用于4、6英寸SiC外延工藝
    型號： MARS iCE1... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:08:25267

  • 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議

    EPEE550等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEE550PECVDSystemEPEE550系列主要用于2~8英寸SiO?、SiN?、SiON等介質(zhì)薄膜沉積工藝...
    型號： EPEE 550 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:07:17330

  • 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議

    EPEEi800等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEEi800PECVDSystemEPEEi800系列主要用于6英寸及以下氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介質(zhì)薄膜沉積...
    型號： EPEE i800 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:05:41272

  • 8英寸多片硅外延系統(tǒng) 參考價：面議

    SESSeries8英寸多片硅外延系統(tǒng)SESSeries8InchBatchWaferSiliconEpitaxySystemSES系列硅外延系統(tǒng)為單腔多片式硅...
    型號： SES Seri... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:04:21205

  • 8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng) 參考價：面議

    ErisE120A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)ErisE120A8InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEpitaxyS...
    型號： Eris E120... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:02:50175

  • 8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng) 參考價：面議

    EstherE320A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)EstherE320A8InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEpit...
    型號： Esther E3... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:01:21199

  • 12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng) 參考價：面議

    HesperE230A12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)HesperE230A12InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEp...
    型號： Hesper E2... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 8:00:01204

  • 8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng) 參考價：面議

    ErisE120R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)ErisE120R8InchSingleWaferReducedPressureSiliconEpitaxySyste...
    型號： Eris E120... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 7:58:53143

  • 8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng) 參考價：面議

    EstherE320R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)EstherE320R8InchSingleWaferReducedPressureSiliconEpitaxyS...
    型號： Esther E3... 廠商性質(zhì)：其他所在地：北京市 對比
    2025/9/6 7:57:11141
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