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SiC高溫氧化爐 參考價(jià):面議
VERICO6151ASiC高溫氧化爐VERICO6151ASiCHigh-TempOxidatorFurnaceVERICO6151ASiC高溫氧化爐具有無金...SiC高溫退火爐 參考價(jià):面議
VERICA6151ASiC高溫退火爐VERICA6151ASiCHigh-TempAnnealFurnaceVERICA6151ASiC高溫退火爐具有無金屬、...8/12英寸封裝立式PI固化爐 參考價(jià):面議
SUMERISAP302C8/12英寸封裝立式PI固化爐SUMERISAP302C8/12InchAPVerticalPolyimideCureFurnaceS...單片退火系統(tǒng) 參考價(jià):面議
BoosterSWA單片退火系統(tǒng)BoosterSWASingleWaferAnnealSystemBoosterSWA主要用于12英寸后段金屬互聯(lián)退火工藝8英寸立式高溫氧化爐 參考價(jià):面議
FLOURISX201H8英寸立式高溫氧化爐FLOURISX201H8InchVerticalHigh-TempOxidationFurnaceFLOURISX...8英寸立式中溫氧化爐 參考價(jià):面議
FLOURISX201P8英寸立式中溫氧化爐FLOURISX201P8InchVerticalMid-TempOxidationFurnaceFLOURISX2...8英寸立式低溫退火爐 參考價(jià):面議
FLOURISA2018英寸立式低溫退火爐FLOURISA2018InchVerticalLow-TempAnnealFurnaceFLOURISA201主要用...12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐 參考價(jià):面議
TENESISX308P12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐TENESISX308P12InchVerticalLargeBatchMid-TempOxidationF...12英寸立式中溫氧化爐 參考價(jià):面議
THEORISX302P12英寸立式中溫氧化爐THEORISX302P12InchVerticalMid-TempOxidationFurnaceTHEORIS...12英寸立式高溫氧化爐 參考價(jià):面議
THEORISX302H12英寸立式高溫氧化爐THEORISX302H12InchVerticalHigh-TempOxidationFurnaceTHEORI...12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐 參考價(jià):面議
THEORISSN302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐THEORISSN302D12InchVerticalLPCVDSiNFurnaceTHEORIS...12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐 參考價(jià):面議
THEORISPY302U12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐THEORISPY302U12InchVerticalLPCVDUndopedPolyFur...12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐 參考價(jià):面議
THEORISHO302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐THEORISHO302D12InchVerticalLPCVDHTOFurnaceTHEOR...12英寸立式PI固化爐 參考價(jià):面議
THEORISA302C12英寸立式PI固化爐THEORISA302C12InchVerticalPolyimideCureFurnaceTHEORISA302...12英寸立式低溫退火爐 參考價(jià):面議
THEORISA30212英寸立式低溫退火爐THEORISA30212Inch VerticalLow-TempAnnealFurnaceTHEORISA302...12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng) 參考價(jià):面議
HesperTO230R12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)HesperTO230R12InchSingleWaferReducedPressureInSituSt...單晶生長爐 參考價(jià):面議
NVT-HG單晶生長爐NVT-HGSingleCrystalGrowingFurnaceNVT-HG系列單晶生長爐主于光伏產(chǎn)業(yè)8-12英寸單晶硅制備工藝,該機(jī)臺...感應(yīng)式SiC長晶爐 參考價(jià):面議
APSSeries感應(yīng)式SiC長晶爐APSSeriesInductionSiCCrystalGrowingFurnaceAPS系列長晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高...管式等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià):面議
HORISP12管式等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISP12PECVDSystemHORISP12PECVD系統(tǒng)主要用于156mm及以上的光伏電池的鍍膜工...管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià):面議
HORISL12管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISL12LPCVDSystemHORISL12系列管式LPCVD主要用于156mm及以上的TOPCon光伏高效電...臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià):面議
HORICL200臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)HORICL200LPCVDSystemHORICL200LPCVD系統(tǒng),主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8英寸及以下晶圓淀積SiN...碳化硅外延系統(tǒng) 參考價(jià):面議
MARSiCE115碳化硅外延系統(tǒng)MARSiCE115SiCEpitaxySystemMARSiCE115主要用于4、6英寸SiC外延工藝等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià):面議
EPEE550等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEE550PECVDSystemEPEE550系列主要用于2~8英寸SiO?、SiN?、SiON等介質(zhì)薄膜沉積工藝...等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià):面議
EPEEi800等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEEi800PECVDSystemEPEEi800系列主要用于6英寸及以下氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介質(zhì)薄膜沉積...(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)