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首頁>>北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司>>產(chǎn)品展示

  • SiC高溫氧化爐 參考價(jià):面議

    VERICO6151ASiC高溫氧化爐VERICO6151ASiCHigh-TempOxidatorFurnaceVERICO6151ASiC高溫氧化爐具有無金...
    型號: VERIC O61... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:38:25200
  • SiC高溫退火爐 參考價(jià):面議

    VERICA6151ASiC高溫退火爐VERICA6151ASiCHigh-TempAnnealFurnaceVERICA6151ASiC高溫退火爐具有無金屬、...
    型號: VERIC A61... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:36:48167
  • 8/12英寸封裝立式PI固化爐 參考價(jià):面議

    SUMERISAP302C8/12英寸封裝立式PI固化爐SUMERISAP302C8/12InchAPVerticalPolyimideCureFurnaceS...
    型號: SUMERIS A... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:35:11249
  • 單片退火系統(tǒng) 參考價(jià):面議

    BoosterSWA單片退火系統(tǒng)BoosterSWASingleWaferAnnealSystemBoosterSWA主要用于12英寸后段金屬互聯(lián)退火工藝
    型號: Booster S... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:33:58158
  • 8英寸立式高溫氧化爐 參考價(jià):面議

    FLOURISX201H8英寸立式高溫氧化爐FLOURISX201H8InchVerticalHigh-TempOxidationFurnaceFLOURISX...
    型號: FLOURIS X... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:32:45158
  • 8英寸立式中溫氧化爐 參考價(jià):面議

    FLOURISX201P8英寸立式中溫氧化爐FLOURISX201P8InchVerticalMid-TempOxidationFurnaceFLOURISX2...
    型號: FLOURIS X... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:31:06107
  • 8英寸立式低溫退火爐 參考價(jià):面議

    FLOURISA2018英寸立式低溫退火爐FLOURISA2018InchVerticalLow-TempAnnealFurnaceFLOURISA201主要用...
    型號: FLOURIS A... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:29:34145
  • 12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐 參考價(jià):面議

    TENESISX308P12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐TENESISX308P12InchVerticalLargeBatchMid-TempOxidationF...
    型號: TENESIS X... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:28:14127
  • 12英寸立式中溫氧化爐 參考價(jià):面議

    THEORISX302P12英寸立式中溫氧化爐THEORISX302P12InchVerticalMid-TempOxidationFurnaceTHEORIS...
    型號: THEORIS X... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:26:46176
  • 12英寸立式高溫氧化爐 參考價(jià):面議

    THEORISX302H12英寸立式高溫氧化爐THEORISX302H12InchVerticalHigh-TempOxidationFurnaceTHEORI...
    型號: THEORIS X... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:25:26123
  • 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐 參考價(jià):面議

    THEORISSN302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐THEORISSN302D12InchVerticalLPCVDSiNFurnaceTHEORIS...
    型號: THEORIS S... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:23:55119
  • 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐 參考價(jià):面議

    THEORISPY302U12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐THEORISPY302U12InchVerticalLPCVDUndopedPolyFur...
    型號: THEORIS P... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:22:35126
  • 12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐 參考價(jià):面議

    THEORISHO302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐THEORISHO302D12InchVerticalLPCVDHTOFurnaceTHEOR...
    型號: THEORIS H... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:21:17126
  • 12英寸立式PI固化爐 參考價(jià):面議

    THEORISA302C12英寸立式PI固化爐THEORISA302C12InchVerticalPolyimideCureFurnaceTHEORISA302...
    型號: THEORIS A... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:19:38121
  • 12英寸立式低溫退火爐 參考價(jià):面議

    THEORISA30212英寸立式低溫退火爐THEORISA30212Inch VerticalLow-TempAnnealFurnaceTHEORISA302...
    型號: THEORIS A... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:18:12123
  • 12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng) 參考價(jià):面議

    HesperTO230R12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)HesperTO230R12InchSingleWaferReducedPressureInSituSt...
    型號: Hesper TO... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:17:00104
  • 單晶生長爐 參考價(jià):面議

    NVT-HG單晶生長爐NVT-HGSingleCrystalGrowingFurnaceNVT-HG系列單晶生長爐主于光伏產(chǎn)業(yè)8-12英寸單晶硅制備工藝,該機(jī)臺...
    型號: NVT-HG 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:15:40160
  • 感應(yīng)式SiC長晶爐 參考價(jià):面議

    APSSeries感應(yīng)式SiC長晶爐APSSeriesInductionSiCCrystalGrowingFurnaceAPS系列長晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高...
    型號: APS Serie... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:14:24182
  • 管式等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià):面議

    HORISP12管式等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISP12PECVDSystemHORISP12PECVD系統(tǒng)主要用于156mm及以上的光伏電池的鍍膜工...
    型號: HORIS P12 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:12:39181
  • 管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià):面議

    HORISL12管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISL12LPCVDSystemHORISL12系列管式LPCVD主要用于156mm及以上的TOPCon光伏高效電...
    型號: HORIS L12 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:11:18229
  • 臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià):面議

    HORICL200臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)HORICL200LPCVDSystemHORICL200LPCVD系統(tǒng),主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8英寸及以下晶圓淀積SiN...
    型號: HORIC L20... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:10:01222
  • 碳化硅外延系統(tǒng) 參考價(jià):面議

    MARSiCE115碳化硅外延系統(tǒng)MARSiCE115SiCEpitaxySystemMARSiCE115主要用于4、6英寸SiC外延工藝
    型號: MARS iCE1... 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:08:25261
  • 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià):面議

    EPEE550等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEE550PECVDSystemEPEE550系列主要用于2~8英寸SiO?、SiN?、SiON等介質(zhì)薄膜沉積工藝...
    型號: EPEE 550 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:07:17323
  • 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià):面議

    EPEEi800等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEEi800PECVDSystemEPEEi800系列主要用于6英寸及以下氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介質(zhì)薄膜沉積...
    型號: EPEE i800 廠商性質(zhì):其他所在地:北京市 對比
    2025/9/6 8:05:41270

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