暫無信息 |
8英寸多片硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SESSeries8英寸多片硅外延系統(tǒng)SESSeries8InchBatchWaferSiliconEpitaxySystemSES系列硅外延系統(tǒng)為單腔多片式硅...
8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
ErisE120A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)ErisE120A8InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEpitaxyS...
8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
EstherE320A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)EstherE320A8InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEpit...
12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
HesperE230A12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)HesperE230A12InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEp...
8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
ErisE120R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)ErisE120R8InchSingleWaferReducedPressureSiliconEpitaxySyste...
8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
EstherE320R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)EstherE320R8InchSingleWaferReducedPressureSiliconEpitaxyS...
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
EPEEi200等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEEi200PECVDSystemEPEEi200系列主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷...
PVD AlN 濺射系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
iTopsSeriesPVDAlN濺射系統(tǒng)iTopsSeriesPVDAlNSputterSystemiTopsPVDAlN濺射系統(tǒng)主要用于2、4、6英寸AlN...
PVD ITO 濺射系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
iTopsSeriesPVDITO濺射系統(tǒng)iTopsSeriesPVDITOSputterSystemiTops濺射系統(tǒng)主要用于4、6、8英寸ITO沉積工藝
8英寸物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PolarisSeries8英寸物理氣相沉積系統(tǒng)PolarisSeries8InchPVDSystemPolaris系列主要用于8寸及以下晶圓金屬薄膜沉積工藝
8/12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PolarisSeries8/12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)PolarisSeries8/12InchPVDSystemPolaris系列PVD系統(tǒng)主要由大氣平臺(tái)...
12英寸背面金屬物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PolarisSeries12英寸背面金屬物理氣相沉積系統(tǒng)PolarisSeries12InchBacksideMetalPVDSystemPolaris系列金...
硅通孔物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PolarisSeries硅通孔物理氣相沉積系統(tǒng)PolarisSeriesTSVPVDSystemPolarisTSVPVD主要由大氣平臺(tái)，真空傳輸平臺(tái)，去氣腔...
8英寸物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
eVictorSeries8英寸物理氣相沉積系統(tǒng)eVictorSeries8InchPVDSystemeVictor系列設(shè)備主要用于8英寸晶圓金屬薄膜沉積工藝
金屬鋁薄膜物理氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
eVictorPVDAl金屬鋁薄膜物理氣相沉積系統(tǒng)eVictorPVDAlSystemeVictorPVDAl設(shè)備是一款應(yīng)用于12英寸集成電路領(lǐng)域的PVD設(shè)備，...
深硅刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
HSEM200深硅刻蝕機(jī)HSEM200DeepSiliconEtcherHSEM200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝
PSS刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
ELEDE?380FPSS刻蝕機(jī)ELEDE?380FPSSEtcherELEDE?380F刻蝕機(jī)是應(yīng)用于LED襯底刻蝕工藝的等離子體干法刻蝕機(jī)，配置單/雙反應(yīng)腔...
8英寸槽式清洗設(shè)備 參考價(jià)：面議
Pinnacle2008英寸槽式清洗設(shè)備Pinnacle2008InchWetBenchToolPinnacle200平臺(tái)適用于8英寸waferrecycle,...
深硅刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
HSEP300深硅刻蝕機(jī)HSEP300DeepSiliconEtcherHSEP300主要用于12英寸硅刻蝕
多功能刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
GSEC200多功能刻蝕機(jī)GSEC200GeneralSemiconductorEtcherGSEC200采用高密度等離子體源，刻蝕速率高、均勻性好、顆?？刂颇?..
高密度刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
GDEC200高密度刻蝕機(jī)GDEC200HighDensityEtcherGDEC200是應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、科研領(lǐng)域的全自動(dòng)化高密度等離子體高速刻蝕機(jī)
高精度刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
GSEV200高精度刻蝕機(jī)GSEV200HighPrecisionEtcherGSEV200高精度等離子體刻蝕機(jī)適用于8英寸低損傷刻蝕工藝
高精度刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
GSES200高精度刻蝕機(jī)GSES200HighPrecisionEtcherGSES200是針對(duì)低損傷工藝的專用刻蝕設(shè)備，兼容ALE工藝，刻蝕速率精細(xì)可控，側(cè)...
封裝鈍化層刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
PSEV300Di封裝鈍化層刻蝕機(jī)PSEV300DiPassivationEtcherPSEV300Di為高密度等離子體刻蝕機(jī)，適用于12英寸無機(jī)復(fù)合膜層，有機(jī)...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
