【儀表網(wǎng) 企業(yè)動態(tài)】4月9日，通富微電(002156)發(fā)布董事會決議公告，正式披露調(diào)整后的向特定對象發(fā)行股票方案，本次募集資金總額由原計劃的不超過44億元調(diào)減至不超過42.2億元(含本數(shù))，調(diào)減原因系公司主動縮減自2026年1月9日前六個月內(nèi)已實施或擬實施的財務性投資1.8億元，調(diào)整后募集資金用途保持核心方向不變，扣除發(fā)行費用后將全部精準投向五大核心領域，進一步夯實公司在半導體封測行業(yè)的地位，搶抓國產(chǎn)替代與行業(yè)復蘇的雙重機遇。?
 

圖片來源：通富微電公告
 

　　作為全球第四大、國內(nèi)第二大半導體封測企業(yè)，通富微電此次定增募資并非簡單的產(chǎn)能擴張，而是立足行業(yè)發(fā)展趨勢的戰(zhàn)略性布局，精準對接存儲芯片、汽車電子、高性能計算等高景氣賽道的需求爆發(fā)，同時優(yōu)化公司財務結(jié)構(gòu)，為長期發(fā)展注入充足動力。據(jù)公告顯示，本次募資具體投向明確，各項目分工清晰、針對性極強，形成“先進產(chǎn)能擴張+核心技術(shù)升級+資金結(jié)構(gòu)優(yōu)化”的三維布局。?
 

圖片來源：通富微電公告
 

　　其中，存儲芯片封測產(chǎn)能提升項目擬投入募集資金8億元，項目總投資8.88億元，建成后將年新增存儲芯片封測產(chǎn)能84.96萬片，重點聚焦HBM、DDR5等高端存儲產(chǎn)品，精準匹配長江存儲、長鑫存儲等國內(nèi)存儲龍頭的產(chǎn)能需求，助力公司把握存儲周期反轉(zhuǎn)紅利。當前，全球存儲芯片市場持續(xù)回暖，DRAM價格漲幅達70%，HBM3e價格再漲20%，全球庫存僅4周，遠低于8-12周的安全線，而通富微電作為國內(nèi)HBM封裝唯一量產(chǎn)基地，現(xiàn)有HBM產(chǎn)線2025年產(chǎn)能利用率超90%，此次擴產(chǎn)將有效緩解產(chǎn)能瓶頸，進一步提升在高端存儲封測領域的市場份額，推動存儲封測國產(chǎn)化率從15%向30%突破。值得注意的是，2025年上半年，存儲業(yè)務已占公司總營收比例的30%，成為僅次于邏輯芯片的第二大業(yè)務板塊，此次募資將進一步強化這一增長極。
 

　　汽車等新興應用領域封測產(chǎn)能提升項目擬投入募集資金10.55億元，項目總投資近11億元，建成后年新增封測產(chǎn)能5.04億塊，聚焦新能源汽車領域的碳化硅功率模塊、車規(guī)MCU、智能座艙芯片等產(chǎn)品。隨著全球新能源汽車銷量持續(xù)攀升，2025年全球新能源車銷量突破1800萬輛，同比增長25%，單車芯片價值量從傳統(tǒng)燃油車的約500美元提升至智能電動車的約2000美元，車載芯片需求迎來爆發(fā)式增長。通富微電已通過IATF16949車規(guī)體系認證，服務英飛凌、恩智浦、博世等頭部Tier1廠商，同時切入比亞迪、特斯拉等車企供應鏈，2025年上半年車規(guī)級芯片收入同比增長200%，此次擴產(chǎn)將進一步擴大公司在汽車電子封測領域的優(yōu)勢，響應國內(nèi)車企供應鏈自主化率提升的需求。?
 

　　晶圓級封測產(chǎn)能提升項目擬投入募集資金6.95億元，項目總投資7.43億元，建成后將新增晶圓級封測產(chǎn)能31.20萬片，同時提升該廠區(qū)高可靠性車載品封測產(chǎn)能15.73億塊。該項目依托公司現(xiàn)有技術(shù)儲備，聚焦Chiplet、2.5D/3D堆疊等先進封裝技術(shù)，無需開發(fā)全新技術(shù)，可快速實現(xiàn)產(chǎn)能釋放，契合AI驅(qū)動下先進封裝技術(shù)占比持續(xù)提升的行業(yè)大勢。目前，公司在晶圓級封裝領域技術(shù)成熟，此次擴產(chǎn)將進一步完善先進封裝產(chǎn)能布局，提升高附加值產(chǎn)品的交付能力。?
 

　　高性能計算及通信領域封測產(chǎn)能提升項目擬投入募集資金6.2億元，項目總投資7.24億元，建成后年新增相關(guān)封測產(chǎn)能合計4.8億塊，重點提升高I/O封裝、高散熱結(jié)構(gòu)、高密度互連布線等技術(shù)能力，聚焦AMD MI400系列、英偉達下一代AI芯片等高端產(chǎn)品，深化與AMD的深度綁定(承接其80%以上的封測訂單)，同時拓展多元化客戶，搶抓AI算力爆發(fā)帶來的先進封裝需求紅利。?
 

　　除四大產(chǎn)能提升項目外，本次募資中10.5億元將用于補充流動資金及償還銀行貸款，較原計劃調(diào)減1.8億元，此舉將有效優(yōu)化公司財務結(jié)構(gòu)，降低資產(chǎn)負債率(截至2025年三季度末公司資產(chǎn)負債率為63.04%)，緩解資金壓力，為各募投項目的順利推進提供資金保障，同時提升公司抗風險能力和持續(xù)經(jīng)營能力。?
 

　　從行業(yè)背景來看，2024年以來全球半導體行業(yè)呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性復蘇，AI芯片、高性能計算、汽車電子、存儲芯片等領域需求爆發(fā)，帶動先進封裝需求持續(xù)旺盛，2026年全球先進封裝市場規(guī)模同比增幅預計達25%。同時，國家持續(xù)出臺政策支持半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，先進封裝獲專項政策扶持，國產(chǎn)替代加速推進，為通富微電的產(chǎn)能擴張?zhí)峁┝肆己玫恼攮h(huán)境和市場空間。?
 

　　通富微電表示，本次定增募投項目的實施，將進一步優(yōu)化公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升高端封測產(chǎn)能和技術(shù)水平，深化在高景氣賽道的布局，降低單一客戶依賴，增強核心競爭力。機構(gòu)預測，隨著本次定增產(chǎn)能逐步釋放，公司2026年歸母凈利潤將增至15.2-18.5億元，同比增長46%-69%，長期來看，公司有望在2030年實現(xiàn)全球封測市場份額10%以上，躋身行業(yè)第一梯隊，成為AI芯片產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)。?
 

　　值得關(guān)注的是，公司此前曾坦言，受2022下半年至2023年全球半導體行業(yè)下行周期影響，前次32億元定增募投項目效益未達預期，但隨著2024年行業(yè)景氣度回升，前次項目效益已在2025年大幅回暖。截至2025年1-9月，公司總體產(chǎn)能利用率高達88%，其中存儲芯片封測產(chǎn)能利用率達104.78%，晶圓級產(chǎn)能利用率達92.29%，產(chǎn)能緊張成為制約公司發(fā)展的重要因素，此次定增擴產(chǎn)具有明確的必要性和緊迫性。
 

　　風險提示：本文基于上市公司公告及公開信息整理，不構(gòu)成投資建議。股市有風險，投資需謹慎。