摘要 THEORISX302H12英寸立式高溫氧化爐THEORISX302H12InchVerticalHigh-TempOxidationFurnaceTHEORISX302H主要用于12英寸1000℃-1200℃高溫和超高溫氧化和退火工藝

摘要 THEORISSN302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐THEORISSN302D12InchVerticalLPCVDSiNFurnaceTHEORISSN302D主要用于12英寸晶圓上的氮化硅薄膜低壓化學(xué)氣相沉積工藝，可覆蓋高、低溫氮化硅薄膜沉積

摘要THEORISPY302U12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐THEORISPY302U12InchVerticalLPCVDUndopedPolyFurnaceTHEORISPY302U應(yīng)用于高性能的半導(dǎo)體多晶硅薄膜制造，通過低壓化學(xué)氣相沉積方式實(shí)現(xiàn)晶圓表面多...

摘要THEORISHO302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐THEORISHO302D12InchVerticalLPCVDHTOFurnaceTHEORISHO302D通過立式低壓化學(xué)氣相沉積方式實(shí)現(xiàn)12英寸晶圓表面氧化硅薄膜的沉積，占地面積小，可大批量處理1...

摘要THEORISA302C12英寸立式PI固化爐THEORISA302C12InchVerticalPolyimideCureFurnaceTHEORISA302C立式退火爐在中低溫條件下，通入N?、H?或D?等氣體，消除硅片界面處金屬及非金屬晶格缺陷和晶格損傷，優(yōu)化硅...

摘要THEORISA30212英寸立式低溫退火爐THEORISA30212Inch VerticalLow-TempAnnealFurnaceTHEORISA302立式退火爐在中低溫條件下，通入N?、H?或D?等氣體，以消除硅片界面處金屬及非金屬晶格缺陷和晶格損傷，優(yōu)化硅...

摘要HesperTO230R12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)HesperTO230R12InchSingleWaferReducedPressureInSituSteamGenerattemHesperTO230R12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)適用于集成電路、功率半導(dǎo)體...

摘要 NVT-HG單晶生長爐NVT-HGSingleCrystalGrowingFurnaceNVT-HG系列單晶生長爐主于光伏產(chǎn)業(yè)8-12英寸單晶硅制備工藝，該機(jī)臺(tái)具有大投料量，高拉速，低能耗，自動(dòng)化、智能化的優(yōu)點(diǎn)

摘要APSSeries感應(yīng)式SiC長晶爐APSSeriesInductionSiCCrystalGrowingFurnaceAPS系列長晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長，創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可提供高純材料生長能力，擁有高精度的控溫、控壓能力，工藝性能優(yōu)良，...

摘要 HORISP12管式等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISP12PECVDSystemHORISP12PECVD系統(tǒng)主要用于156mm及以上的光伏電池的鍍膜工藝，該設(shè)備為多管結(jié)構(gòu)，每管可單獨(dú)工藝

摘要 HORISL12管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISL12LPCVDSystemHORISL12系列管式LPCVD主要用于156mm及以上的TOPCon光伏高效電池的超薄隧穿氧化層和Poly薄膜工藝，該設(shè)備為多管結(jié)構(gòu)，每管可單獨(dú)工藝

摘要 HORICL200臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)HORICL200LPCVDSystemHORICL200LPCVD系統(tǒng)，主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8英寸及以下晶圓淀積SiN、POLY、SiO?等薄膜，設(shè)備工藝性能好、產(chǎn)能大、可靠性高，可滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域的多種產(chǎn)線需求

摘要 MARSiCE115碳化硅外延系統(tǒng)MARSiCE115SiCEpitaxySystemMARSiCE115主要用于4、6英寸SiC外延工藝

摘要 EPEE550等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEE550PECVDSystemEPEE550系列主要用于2~8英寸SiO?、SiN?、SiON等介質(zhì)薄膜沉積工藝，單反應(yīng)腔多片架構(gòu)，兼具大產(chǎn)能和高性價(jià)比特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于LED領(lǐng)域藍(lán)綠、紅黃光制程工藝

摘要EPEEi800等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEEi800PECVDSystemEPEEi800系列主要用于6英寸及以下氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介質(zhì)薄膜沉積工藝，采用單腔多片自動(dòng)化傳輸架構(gòu)，兼容藍(lán)寶石、SiC、砷化鎵等不同襯底規(guī)格，可廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、半導(dǎo)體...

摘要 SESSeries8英寸多片硅外延系統(tǒng)SESSeries8InchBatchWaferSiliconEpitaxySystemSES系列硅外延系統(tǒng)為單腔多片式硅外延設(shè)備，適用于4、5、6、8英寸的硅外延工藝

摘要 ErisE120A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)ErisE120A8InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEpitaxySystemErisE120A主要用于5、6、8英寸硅外延工藝

摘要 EstherE320A8英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)EstherE320A8InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEpitaxySystemEstherE320A主要用于5、6、8英寸硅外延工藝

摘要 HesperE230A12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)HesperE230A12InchSingleWaferAtmosphericPressureSiliconEpitaxySystemHesperE230A適用于12英寸N/P硅外延生長

摘要 ErisE120R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)ErisE120R8InchSingleWaferReducedPressureSiliconEpitaxySystemErisE120R主要用于埋層外延、選擇性外延、多晶外延等多種特色工藝的運(yùn)行

摘要 EstherE320R8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)EstherE320R8InchSingleWaferReducedPressureSiliconEpitaxySystemEstherE320R主要用于體硅外延、埋層外延、選擇性外延等多種特色工藝的運(yùn)行

摘要EPEEi200等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEEi200PECVDSystemEPEEi200系列主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉積工藝，平臺(tái)式多反應(yīng)腔架構(gòu)，兼容Si、SiC、GaAs等不同襯底材料，廣泛應(yīng)用于集成電路、化合...

摘要 iTopsSeriesPVDAlN濺射系統(tǒng)iTopsSeriesPVDAlNSputterSystemiTopsPVDAlN濺射系統(tǒng)主要用于2、4、6英寸AlN沉積工藝

摘要 iTopsSeriesPVDITO濺射系統(tǒng)iTopsSeriesPVDITOSputterSystemiTops濺射系統(tǒng)主要用于4、6、8英寸ITO沉積工藝

摘要 PolarisSeries8英寸物理氣相沉積系統(tǒng)PolarisSeries8InchPVDSystemPolaris系列主要用于8寸及以下晶圓金屬薄膜沉積工藝

摘要PolarisSeries8/12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)PolarisSeries8/12InchPVDSystemPolaris系列PVD系統(tǒng)主要由大氣平臺(tái)，真空傳輸平臺(tái)，去氣腔室（Degas），預(yù)清潔腔室和工藝腔室組成，設(shè)備采用ClusterTool結(jié)構(gòu)，可配置...

摘要 PolarisSeries12英寸背面金屬物理氣相沉積系統(tǒng)PolarisSeries12InchBacksideMetalPVDSystemPolaris系列金屬薄膜物理氣相沉積系統(tǒng)主要由大氣平臺(tái)

摘要PolarisSeries硅通孔物理氣相沉積系統(tǒng)PolarisSeriesTSVPVDSystemPolarisTSVPVD主要由大氣平臺(tái)，真空傳輸平臺(tái)，去氣腔室（Degas），預(yù)清潔腔室和工藝腔室組成，設(shè)備采用ClusterTool結(jié)構(gòu)，可配置多個(gè)工藝腔室、預(yù)清洗腔...

摘要 eVictorSeries8英寸物理氣相沉積系統(tǒng)eVictorSeries8InchPVDSystemeVictor系列設(shè)備主要用于8英寸晶圓金屬薄膜沉積工藝

摘要 eVictorPVDAl金屬鋁薄膜物理氣相沉積系統(tǒng)eVictorPVDAlSystemeVictorPVDAl設(shè)備是一款應(yīng)用于12英寸集成電路領(lǐng)域的PVD設(shè)備，系統(tǒng)集成了高溫去氣、等離子體預(yù)清洗、高溫Al、TaN、TTN等多種工藝模塊，并實(shí)現(xiàn)在系統(tǒng)內(nèi)部的工藝整合

摘要 HSEM200深硅刻蝕機(jī)HSEM200DeepSiliconEtcherHSEM200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝

摘要 ELEDE®380FPSS刻蝕機(jī)ELEDE®380FPSSEtcherELEDE®380F刻蝕機(jī)是應(yīng)用于LED襯底刻蝕工藝的等離子體干法刻蝕機(jī)，配置單/雙反應(yīng)腔、托盤式、多片TrayinTrayout全自動(dòng)作業(yè)

摘要Pinnacle2008英寸槽式清洗設(shè)備Pinnacle2008InchWetBenchToolPinnacle200平臺(tái)適用于8英寸waferrecycle,PRStrip,B-clean,STDclean,oxideremoval,metalremoval,H3P...

摘要 HSEP300深硅刻蝕機(jī)HSEP300DeepSiliconEtcherHSEP300主要用于12英寸硅刻蝕

摘要 GSEC200多功能刻蝕機(jī)GSEC200GeneralSemiconductorEtcherGSEC200采用高密度等離子體源，刻蝕速率高、均勻性好、顆?？刂颇芰?qiáng)、易維護(hù)、性能穩(wěn)定

摘要 GDEC200高密度刻蝕機(jī)GDEC200HighDensityEtcherGDEC200是應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、科研領(lǐng)域的全自動(dòng)化高密度等離子體高速刻蝕機(jī)

摘要 GSEV200高精度刻蝕機(jī)GSEV200HighPrecisionEtcherGSEV200高精度等離子體刻蝕機(jī)適用于8英寸低損傷刻蝕工藝

摘要 GSES200高精度刻蝕機(jī)GSES200HighPrecisionEtcherGSES200是針對(duì)低損傷工藝的專用刻蝕設(shè)備，兼容ALE工藝，刻蝕速率精細(xì)可控，側(cè)壁及底部損傷小、均勻性好，易維護(hù)，性能穩(wěn)定

摘要 PSEV300Di封裝鈍化層刻蝕機(jī)PSEV300DiPassivationEtcherPSEV300Di為高密度等離子體刻蝕機(jī)，適用于12英寸無機(jī)復(fù)合膜層，有機(jī)物刻蝕等工藝

摘要 ACEi300去膠機(jī)ACEi300AsherACEi300為高密度等離子體去膠機(jī)，主要用于8/12英寸光刻膠干法刻蝕

摘要 PSEV300深硅刻蝕機(jī)PSEV300DeepSiliconEtcherPSEV300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時(shí)兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實(shí)現(xiàn)多工藝領(lǐng)域覆蓋

摘要 NMC612G12英寸金屬刻蝕機(jī)NMC612G12InchMetalEtcherNMC612G是電感耦合高密度等離子體干法刻蝕機(jī)，主要用于集成電路、功率半導(dǎo)體、硅基微型顯示領(lǐng)域

摘要NMC612M12英寸氮化鈦金屬硬掩膜刻蝕機(jī)NMC612M12InchTiNMetalHardMaskEtcherNMC612M12英寸氮化鈦金屬硬掩膜刻蝕機(jī)是應(yīng)用于40-28nm制程集成電路的金屬干法刻蝕設(shè)備，用于氮化鈦金屬硬掩膜、高K值介質(zhì)刻蝕、鎢/鈦/鉭等金屬及...

摘要 NMC612D12英寸硅刻蝕機(jī)NMC612D12InchSiliconEtcherNMC612D應(yīng)用于12英寸干法刻蝕工藝，主要應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域淺溝槽隔離刻蝕、柵極刻蝕、側(cè)墻刻蝕等制程，具有豐富的工藝調(diào)試手段、較高的刻蝕均勻性以及量產(chǎn)穩(wěn)定性

摘要 NMC612C12英寸硅刻蝕機(jī)NMC612C12InchSiliconEtcherNMC612C應(yīng)用于12英寸干法刻蝕工藝，深耕集成電路、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域，已在客戶端穩(wěn)定量產(chǎn)超過十年