摘要 MVF-6060180W真空擴(kuò)散爐MVF-6060180WVacuumdiffusionfurnace本設(shè)備廣泛適用于燒結(jié)釹鐵硼磁性材料的擴(kuò)散回火工藝熱處理以及其他熱處理工藝

摘要 NVT-HG2200-V1單晶爐NVT-HG2200-V1SingleCrystalGrowingFurnaceNVT-HG2200-V1主要應(yīng)用于伏產(chǎn)業(yè)8-12英寸單晶硅制備工藝，該機(jī)臺具有大投料量，高拉速，低能耗，自動化、智能化的優(yōu)點(diǎn)

摘要 CWP1200/1800臥式連續(xù)型PVD鍍膜設(shè)備CWP1200/1800Horizontalin-linePVDCoaterCWP系列產(chǎn)品陰極均水平安裝，產(chǎn)品裝夾在載板上從陰極處連續(xù)通過

摘要 FDPSeries單體式復(fù)合型PVD鍍膜設(shè)備FDPSeriesBatch-TypePVDCoaterFDP系列產(chǎn)品適用于各類形狀和尺寸的工件產(chǎn)品的全覆蓋真空鍍膜

摘要 FLVP850/1100立式連續(xù)型PVD鍍膜設(shè)備FLVP850/1100Verticalin-linePVDCoaterFLVP系列產(chǎn)品陰極均豎直安裝，產(chǎn)品裝夾在載板上從陰極處連續(xù)通過

摘要 CRJM/CZRJMSeries真空卷繞PVD鍍膜設(shè)備CRJM/CZRJMSeriesRolltoRollWebPVDCoaterCRJM/CZRJM系列產(chǎn)品主要用于柔性基材表面的真空鍍膜

摘要 VB40/50/70真空釬焊爐VB40/50/70Vacuumbrazingfurnace真空釬焊爐主要用于完成釬焊與除氣工藝

摘要 HT20/30/60氫氣釬焊爐HT20/30/60Hydrogenbrazingfurnace氫氣釬焊爐主要用于在氫氣環(huán)境下完成釬焊工藝

摘要 AMB40/50/70AMB釬焊爐AMB40/50/70AMBvacuumbrazingfurnaceAMB釬焊爐主要用于完成陶瓷基板的金屬化工藝

摘要 釹鐵硼燒結(jié)全自動生產(chǎn)線NdFeBsinteringautomaticproductionline釹鐵硼從壓機(jī)壓型工藝開始到燒結(jié)工藝結(jié)束，全程自動化進(jìn)行

摘要 NVF-6060140W真空燒結(jié)爐NVF-6060140WVacuumsinteringfurnace適用于釹鐵硼磁性材料的燒結(jié)熱處理，也可用于釹鐵硼磁性材料的時效熱處理等工藝

摘要 VT40/60/100真空氣淬爐VT40/60/100Vacuumgasquenchingfurnace氣淬工藝可大幅提高鋼材的剛性、硬度、耐磨性、疲勞強(qiáng)度以及韌性，從而滿足各種機(jī)械零件和工具的不同使用要求

摘要 DS50脫脂燒結(jié)爐DS50Degreasingsinteringfurnace脫脂燒結(jié)爐主要用于陶瓷及金屬材料的多種燒結(jié)工藝，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的脫脂燒結(jié)一次性處理

摘要HP30/40/100/1300熱壓燒結(jié)爐HP30/40/100/1300Hotpressingsinteringfurnace熱壓燒結(jié)爐是在燒結(jié)爐的基礎(chǔ)上引入機(jī)械壓力裝置，在特定燒結(jié)模具中，同時施加高溫與一定壓力，使粉末致密與成型，主要應(yīng)用于高純靶材的燒結(jié)、陶瓷燒結(jié)...

摘要 AP30/40/60氣壓燒結(jié)爐AP30/40/60Gaspressuresinteringfurnace本產(chǎn)品應(yīng)用于金屬粉末的壓力燒結(jié)成型、陶瓷基板的壓力燒結(jié)與陶瓷結(jié)構(gòu)件的燒結(jié)，使用溫度涵蓋1500-2000℃，壓力范圍涵蓋1MPa、6MPa、10MPa

摘要 VVK50.55連續(xù)滲硅爐VVK50.55Continuoussiliconinfiltrationfurnace連續(xù)滲硅爐用于碳碳材料的高溫滲硅處理工藝

摘要 Pinnacle30012英寸槽式清洗設(shè)備Pinnacle30012InchWetBenchCleanToolPinnacle300平臺適用于集成電路、功率半導(dǎo)體、襯底材料、硅基微顯示領(lǐng)域的清洗工藝

摘要 SC308012英寸單片清洗設(shè)備SC308012InchSingleWaferCleanToolSC3080設(shè)備可同時配備多種藥液，主要用于12英寸后段和前段清洗工藝

摘要 HORISD12擴(kuò)散系統(tǒng)HORISD12DiffustemHORISD12擴(kuò)散系統(tǒng)主要應(yīng)用于晶硅電池制作過程中的硼/磷摻雜、氧化、退火等工藝，該設(shè)備為多管臥式爐管設(shè)備，主要由凈化臺、爐體機(jī)箱、氣源柜組成，自動化機(jī)械手集成在凈化臺內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)工藝的自動運(yùn)行

摘要 HORICD200擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)HORICD200Diffusion/OxidattemHORICD200擴(kuò)散爐，主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8寸及以下晶圓做擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝，設(shè)備工藝性能好、產(chǎn)能大、可靠性高，可滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域的多種產(chǎn)線需求

摘要 VERICO6151ASiC高溫氧化爐VERICO6151ASiCHigh-TempOxidatorFurnaceVERICO6151ASiC高溫氧化爐具有無金屬、抗腐蝕的工藝室及真空密閉的加熱系統(tǒng)設(shè)計，確保有毒和可燃性氣體安全使用

摘要VERICA6151ASiC高溫退火爐VERICA6151ASiCHigh-TempAnnealFurnaceVERICA6151ASiC高溫退火爐具有無金屬、長壽命的加熱系統(tǒng)及特殊設(shè)計的高可靠工藝腔室，具備在氬氣、氮?dú)夂蜌錃獾葰怏w氛圍下的高溫退火工藝，溫度可達(dá)200...

摘要 SUMERISAP302C8/12英寸封裝立式PI固化爐SUMERISAP302C8/12InchAPVerticalPolyimideCureFurnaceSUMERISAP302C立式封裝PI退火爐是面向封裝領(lǐng)域的一款專用工藝設(shè)備

摘要 BoosterSWA單片退火系統(tǒng)BoosterSWASingleWaferAnnealSystemBoosterSWA主要用于12英寸后段金屬互聯(lián)退火工藝

摘要 FLOURISX201H8英寸立式高溫氧化爐FLOURISX201H8InchVerticalHigh-TempOxidationFurnaceFLOURISX201H主要用于8英寸高溫氧化及退火工藝

摘要 FLOURISX201P8英寸立式中溫氧化爐FLOURISX201P8InchVerticalMid-TempOxidationFurnaceFLOURISX201P主要用于8英寸中溫氧化及退火工藝

摘要 FLOURISA2018英寸立式低溫退火爐FLOURISA2018InchVerticalLow-TempAnnealFurnaceFLOURISA201主要用于8英寸低溫合金化及退火工藝

摘要TENESISX308P12英寸立式大產(chǎn)能中溫氧化爐TENESISX308P12InchVerticalLargeBatchMid-TempOxidationFurnaceTENESISX308P為立式單腔大產(chǎn)能爐管系統(tǒng)，工藝處理過程實(shí)現(xiàn)了高度自動化，該系統(tǒng)主要由傳輸...

摘要 THEORISX302P12英寸立式中溫氧化爐THEORISX302P12InchVerticalMid-TempOxidationFurnaceTHEORISX302P主要用于12英寸600℃-1000℃氧化及退火工藝

摘要 THEORISX302H12英寸立式高溫氧化爐THEORISX302H12InchVerticalHigh-TempOxidationFurnaceTHEORISX302H主要用于12英寸1000℃-1200℃高溫和超高溫氧化和退火工藝

摘要 THEORISSN302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅爐THEORISSN302D12InchVerticalLPCVDSiNFurnaceTHEORISSN302D主要用于12英寸晶圓上的氮化硅薄膜低壓化學(xué)氣相沉積工藝，可覆蓋高、低溫氮化硅薄膜沉積

摘要THEORISPY302U12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積非摻雜多晶硅爐THEORISPY302U12InchVerticalLPCVDUndopedPolyFurnaceTHEORISPY302U應(yīng)用于高性能的半導(dǎo)體多晶硅薄膜制造，通過低壓化學(xué)氣相沉積方式實(shí)現(xiàn)晶圓表面多...

摘要THEORISHO302D12英寸立式低壓化學(xué)氣相沉積高溫氧化硅爐THEORISHO302D12InchVerticalLPCVDHTOFurnaceTHEORISHO302D通過立式低壓化學(xué)氣相沉積方式實(shí)現(xiàn)12英寸晶圓表面氧化硅薄膜的沉積，占地面積小，可大批量處理1...

摘要THEORISA302C12英寸立式PI固化爐THEORISA302C12InchVerticalPolyimideCureFurnaceTHEORISA302C立式退火爐在中低溫條件下，通入N?、H?或D?等氣體，消除硅片界面處金屬及非金屬晶格缺陷和晶格損傷，優(yōu)化硅...

摘要THEORISA30212英寸立式低溫退火爐THEORISA30212Inch VerticalLow-TempAnnealFurnaceTHEORISA302立式退火爐在中低溫條件下，通入N?、H?或D?等氣體，以消除硅片界面處金屬及非金屬晶格缺陷和晶格損傷，優(yōu)化硅...

摘要HesperTO230R12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)HesperTO230R12InchSingleWaferReducedPressureInSituSteamGenerattemHesperTO230R12英寸單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)適用于集成電路、功率半導(dǎo)體...

摘要 NVT-HG單晶生長爐NVT-HGSingleCrystalGrowingFurnaceNVT-HG系列單晶生長爐主于光伏產(chǎn)業(yè)8-12英寸單晶硅制備工藝，該機(jī)臺具有大投料量，高拉速，低能耗，自動化、智能化的優(yōu)點(diǎn)

摘要APSSeries感應(yīng)式SiC長晶爐APSSeriesInductionSiCCrystalGrowingFurnaceAPS系列長晶爐適用于6/8英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長，創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可提供高純材料生長能力，擁有高精度的控溫、控壓能力，工藝性能優(yōu)良，...

摘要 HORISP12管式等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISP12PECVDSystemHORISP12PECVD系統(tǒng)主要用于156mm及以上的光伏電池的鍍膜工藝，該設(shè)備為多管結(jié)構(gòu)，每管可單獨(dú)工藝

摘要 HORISL12管式低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備HORISL12LPCVDSystemHORISL12系列管式LPCVD主要用于156mm及以上的TOPCon光伏高效電池的超薄隧穿氧化層和Poly薄膜工藝，該設(shè)備為多管結(jié)構(gòu)，每管可單獨(dú)工藝

摘要 HORICL200臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)HORICL200LPCVDSystemHORICL200LPCVD系統(tǒng)，主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8英寸及以下晶圓淀積SiN、POLY、SiO?等薄膜，設(shè)備工藝性能好、產(chǎn)能大、可靠性高，可滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域的多種產(chǎn)線需求

摘要 MARSiCE115碳化硅外延系統(tǒng)MARSiCE115SiCEpitaxySystemMARSiCE115主要用于4、6英寸SiC外延工藝

摘要 EPEE550等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEE550PECVDSystemEPEE550系列主要用于2~8英寸SiO?、SiN?、SiON等介質(zhì)薄膜沉積工藝，單反應(yīng)腔多片架構(gòu)，兼具大產(chǎn)能和高性價比特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于LED領(lǐng)域藍(lán)綠、紅黃光制程工藝

摘要EPEEi800等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)EPEEi800PECVDSystemEPEEi800系列主要用于6英寸及以下氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介質(zhì)薄膜沉積工藝，采用單腔多片自動化傳輸架構(gòu)，兼容藍(lán)寶石、SiC、砷化鎵等不同襯底規(guī)格，可廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、半導(dǎo)體...

摘要 SESSeries8英寸多片硅外延系統(tǒng)SESSeries8InchBatchWaferSiliconEpitaxySystemSES系列硅外延系統(tǒng)為單腔多片式硅外延設(shè)備，適用于4、5、6、8英寸的硅外延工藝